NAND Flash最新资讯动态-全球半导体观察

韩国半导体出口价格创30个月新高三星NAND加速扩产

2017-07-18

最新数据显示，韩国六月份半导体出口价格创下30个月新高，再次证明全球芯片需求持续成长。

DRAM 半导体 NAND Flash

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应用材料台南制造中心新厂今日动土投资逾10亿新台币

2017-07-17

全球最大半导体暨显示器设备厂美商应用材料加码投资中国台湾地区，将于今日（17日）举行应材台南制造中心新厂动土典礼。

半导体 NAND Flash 应用材料

IC设计

受惠NAND Flash涨价群联Q3获利挑战新高

2017-07-14

时序步入第三季传统旺季，群联将可望受惠于NAND Flash价格再度逐步上攀，业绩逐步翻扬。

群联 SSD固态硬盘 NAND Flash

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3D NAND Flash结合TSV技术东芝快闪存储器容量上看1TB

2017-07-13

1日，东芝又再宣布3D NAND Flash结合TSV技术，单一颗粒容量将能达到1TB。

NAND Flash 东芝

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存储器市场热宇瞻南亚科迎旺季

2017-07-12

存储器市况佳，相关厂商受惠良多，使得模组厂宇瞻6月表现优于预期，月增逾一成。

DRAM NAND Flash 南亚科

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存储器产业首现DRAM、NAND/NOR Flash价格齐涨

2017-07-10

存储器产业首度出现DRAM、NAND Flash连袂上涨，甚至连NOR Flash也同步跟涨。

DRAM NAND Flash NOR Flash

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三星全球最大规模半导体产线投产；长电大基金中芯51.75亿共同增资芯鑫租赁

2017-07-07

据韩媒报道，三星电子位于韩国京畿道平泽市的半导体工厂于7月4日正式投产，该工厂主要用于建设第四代64层3D NAND Flash。

三星电子智能手机 NAND Flash

一周热点

SK变卦想要TMC议决权！传东芝传检讨备案或改用WD案

2017-07-07

为了阻止东芝将TMC卖给第三方，WD向美国加州高等法院提起的诉讼将在14日(日本时间15日)开庭审查，且最快可能会在当天作出裁决，而东芝开始考虑改用WD提案的目的，就是要对SK施加压力。

SK海力士 NAND Flash 东芝

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东芝发布首款3D QLC NAND快闪存储器单颗容量达768Gb

2017-07-06

东芝近日发布首款3D QLC NAND快闪存储器，采用BiCS架构（Pipe-shaped Bit Cost Scalable），可提供单颗4-bit-per-cell的记忆单元，单颗容量达768Gb(32GB)。

NAND Flash 东芝存储器

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