注册

NAND Flash相关资讯

东芝上季营收飙增5倍 创历年同期历史新高

东芝(Toshiba Corp)10日公布上季(2017年4-6月)财报:合并营收较去年同期成长8.2%至1万亿1,436.33亿日元。

智能手机 NAND Flash 东芝

存储器

三星研发容量1Tb新3D NAND存储器 预计明年问世

三星电子NAND Flash技术再升级,9日宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片,预计明年问世。

三星电子 SSD固态硬盘 NAND Flash

存储器

群联冲刺高端技术 为未来营运添动能

快闪存储器控制芯片厂群联昨(8)日在全球最大快闪存储器技术盛会“2017年快闪存储器高峰会(2017 Flash Memory Summit,FMS)中,展出多项快闪控制芯片,包括UFS、固态硬盘(SSD)等高端新芯片。

SSD固态硬盘 NAND Flash 芯片设计

存储器

存储器左右全球半导体业竞争格局?

长期占据全球半导体行业龙头地位的英特尔今年第二季度营收被三星超越,中断了24年来的连霸纪录。

DRAM NAND Flash 半导体存储器

IC设计

智能手机增产 存储器芯片价格上扬

半导体存储芯片的价格正扶摇直上,原因是智能手机制造商夏季产能全开以因应年底购物旺季需求,导致从去年开始的短缺情况更加恶化。

DRAM 芯片 NAND Flash

存储器

存储器供给持续吃紧 创见预期Q3合约价持续上涨

存储器模组厂创见资讯预期,第3季包括DRAM与NAND Flash存储器供给都将持续吃紧,合约价也将维持上涨趋势,深耕工业控制市场将是创见现阶段营运重点。

DRAM NAND Flash 创见

存储器

NAND Flash市场给力 Q2慧荣营收季成长4%

全球NAND Flash控制芯片大厂慧荣科技(SIMO)于1日公布2017年第2季财报。

芯片 NAND Flash

存储器

西数发布3D NAND X4快闪存储器技术

西部数据(Western Digital)发布开发出适用于64层3D NAND(BiCS3)的X4(每单元4位元)快闪存储器架构技术。

NAND Flash 西部数据

存储器

SK海力士扩产 DRAM涨势或提前结束

韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产,让3D NAND型存储器战火提前引爆。

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器