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DDR5价格涨跌幅预测;IC设计厂商排名;东芝12英寸厂奠基

服务器新平台Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa机种量产在即,但近期市场上传出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性问题,目前DRAM原厂...

SK海力士 IC设计 DDR5

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展望存储后市,三星、SK海力士与美光这样看待

受经济逆风、消费电子需求低迷、存储芯片价格下跌等因素影响,存储大厂普遍业绩承压,三星电子公布的最新财报同样如此...

SK海力士 三星电子 美光科技

存储器

DDR5、LPDDR5和HBM3等主力产品引领高端市场,SK海力士Q1实现营收约5.1万亿韩元

SK海力士今日发布截至2023年3月31日的2023财年第一季度财务报告。公司2023财年第一季度结合并收入为5.0881万亿韩元,营业亏损为3.4023万亿韩元...

DRAM SK海力士 DDR5

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SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM, 已向客户提供样品

2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3*的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB...

DRAM 存储器 SK海力士

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AI服务器需求带动, HBM供应龙头SK海力士今年市占率将逾五成|TrendForce集邦咨询

AI服务器出货动能强劲带动HBM(high bandwidth memory)需求提升,据TrendForce集邦咨询研究显示,2022年三大原厂HBM市占率分别为...

SK海力士 服务器

市场观察

10年,SK海力士与Rambus延长全面专利许可协议

当地时间4月4日,Rambus宣布,与SK海力士的全面专利许可协议延长10年。据悉,该延长的协议将于2024年7月1日生效,保持类似的...

SK海力士 内存 半导体芯片

存储器

存储大厂展示300层NAND Flash,预计最快2024年问世

近日,在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型...

存储器 SK海力士 NAND Flash

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传SK海力士材料供应商SK Trichem的前驱品质出现问题

据韩国媒体The Elec引述消息人士报道称,SK海力士本月因材料问题导致部分DRAM生产设备为了检查暂停运作,但对生产没有任何影响...

DRAM SK海力士 半导体材料

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大内存时代振奋人心的CXL技术(下)

在《大内存时代,振奋人心的CXL技术(上)》中,我们对CXL技术是什么,解决了什么问题,以及CXL1.0/1.1、CXL2.0和CXL3.0技术进行了详细...

SK海力士 三星 内存

数据中心/服务器

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