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兆易创新相关资讯

线上线下双管齐下,中关村集成电路设计园8家企业复工

中关村集成电路设计园(简称IC PARK)是位于海淀北部的地标性综合创新产业园区。2月10日,包括兆易创新、欣博电子、中庆现代、同源微等第一批8家企业...

集成电路 兆易创新

IC设计

兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议

近日,兆易创新宣布与领先的半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)签署全球分销协议。此次与贸泽电子达成战略合作关系,有助于进一步...

兆易创新

存储器

兆易创新公布DRAM量产进程;三星华城厂突发跳电有何影响?

针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件,整体影响到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分...

存储器 三星 兆易创新

一周热点

兆易创新:首款DRAM芯片最晚2025年量产

近日,兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中,透露了具体规划。

DRAM 兆易创新 IC

存储器

兆易创新将对思立微增资3亿元 将投入这三大项目

10月29日,北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称“兆易创新”)发布公告称,为落实2019年重大资产重组相关后续事项,公司董事会审议通过了《关于使用募...

兆易创新 思立微

IC设计

兆易创新研发1Xnm级DRAM;东芝存储新品牌铠侠正式运营

10月1日,兆易创新发布非公开发行A股股票预案公告。公告指出,本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者,发行的股票数量...

东芝存储器 兆易创新 国家集成电路产业投资基金

一周热点

兆易创新股价三年暴涨20倍 研发费增七成致净利降20%

今年上半年,兆易创新营业收入小幅增长,净利润(归属于上市公司股东的净利润,下同)同比下降20.24%。与净利润下降相关的是,研发费用1.4亿元,同比增长74.42%...

芯片设计 兆易创新 NOR Flash

存储器

兆易创新拟投资39.9亿元研发研发1Xnm级DRAM 技术

10月1日,兆易创新发布非公开发行A股股票预案公告。公告指出,本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者,发行的股票数量不超过本次...

DRAM NAND Flash 兆易创新

存储器

兆易创新拟定增43亿用于DRAM芯片自研及产业化项目

兆易创新9月23日发布公告称,经公司自查,公司拟筹划非公开发行股份事项,募集资金总额约43亿元,主要用于公司DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金...

DRAM 兆易创新

存储器

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