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三星发表首个12层3D-TSV封装技术 将量产24GB存储器

该技术被认为是大规模生产高性能芯片最具挑战性的封装技术之一,因为它需要精确的定位才能通过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片,且厚度...

三星电子 DRAM芯片

存储器

澜起科技IPO过会 科创板迎第4家集成电路企业

6月13日,上海证券交易所科创板股票上市委员会第2次审议会议结果显示,澜起科技股份有限公司(以下简称“澜起科技”)成功过会,成为科创板第3批过会企业...

DRAM芯片 澜起科技

IC设计

SK海力士发表16Gb DDR5,锁定大数据、AI

韩国SK海力士周四发表新型DRAM芯片-DDR5,将提供更快的速度及更高的电源效率,以满足大数据、人工智能和机器学习等领域的需求。K海力士表示,这款16Gb DDR5...

SK海力士 DRAM芯片

存储器

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子今天宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破...

三星电子 DRAM芯片 内存

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美光计划斥资20亿美元 扩产广岛DRAM厂

日经新闻报导,美光科技计划未两至三年斥资20亿美元,在位于日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代动态随机存取存储器(DRAM)。

智能手机 DRAM芯片 美光科技

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速度翻倍!SK海力士正式发布8GB GDDR6 DRAM芯片

随着GPU性能的不断提升,对于显存的速度和效率也提出了更高的需求。

SK海力士 DRAM芯片

存储器