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SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新...

SK海力士 DRAM芯片 存储芯片

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SK海力士:未研究过“转移中国工厂设备”相关具体计划

SK海力士就本公司中国工厂的运营作出如下澄清:针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境...

SK海力士 DRAM芯片 NAND Flash

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1000亿美元!存储大厂官宣晶圆厂新建计划

今年9月,美光位于爱达荷州博伊西市的一座价值150亿美元的工厂破土动工,并称不久将宣布另一家美国新工厂。近日,美光正式宣布了这项新的投资计划...

DRAM芯片 晶圆制造 美光科技

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下行态势持续,存储芯片价格或进一步下探!

近年来,全球半导体市场发展呈现两极化发展。其中,消费电子领域受新冠疫情、高通胀等因素影响,加上国际形势复杂多变,市场呈现下行态势...

DRAM芯片 NAND Flash 存储芯片

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传三星下调DDR4芯片价格,消费级DRAM价格跌幅扩大

据媒体报道,有业内人士透露,三星已经下调4Gb DDR4的芯片价格,这也被视为公司加速从DDR3向DDR4转变的战略措施...

三星 DRAM芯片 DDR

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内存芯片过剩担忧7月升温,存储巨头或引领新一轮降价

近年来,芯片的全球供需平衡大受市场关心。进入2022年以来,芯片议题从短缺转移至过剩,周期“换季”比很多人想象中要快...

DRAM芯片 存储芯片 内存

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美光回应广岛制造厂停电事件:正在评估

7月11日,针对广岛制造厂停电事件,美光发布新闻稿称,由于该地区的恶劣天气,其广岛DRAM制造厂于2022年7月8日星期五经历了长时间的电力中断...

存储器 DRAM芯片 美光科技

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三星新目标:6月前开发出第六代11nm 1c DRAM芯片

近日,韩国媒体《BusinessKorea》报导,全球最大存储器制造商韩国三星设定了目标,预计在今年6月前,完成11纳米的第六代1c DRAM芯片的开...

存储器 三星电子 DRAM芯片

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北京君正披露收购北京矽成后最新整合情况,25nm LPDDR4将于今年推出样品

4月12日,北京君正发布投资者关系活动记录表公告,分别介绍了收购北京矽成(ISSI)后的整合情况和各产品线规划等问题...

DRAM芯片 DDR 北京君正

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