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【存储器】2020年NAND Flash产业营收达567亿美元,六大厂商未来规划曝光

来源:全球闪存市场       

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,2020年第四季NAND Flash产业营收为141亿美元,季减2.9%。该季度全球前六大NAND FLASH品牌厂商分别为三星电子、铠侠、西部数据、SK海力士、美光与英特尔。

一)六大厂商营收、出货一览

* 三星电子:NAND Flash位元出货量季增达7~9%

受惠于中国智能手机厂商积极抢食市占而提升备货,以及笔电需求进一步增长,三星电子订单需求优于原先预期,使其2020年第四季NAND Flash位元出货量季增达7~9%。

但由于data center客户采购力道不足,且enterprise客户仍着重库存去化,供过于求状态较为明显,平均单价下滑超过10%,第四季NAND Flash整体营收达46.44亿美元,季减3.4%。

铠侠:整体位元出货呈现小幅增长

华为(Huawei)终止备货后,铠侠在mobile端的位元出货未能透过其他品牌厂商的订单填补,加上整体enterprise SSD市场需求低落,但受到笔电、游戏主机需求挹注,整体位元出货得以呈现小幅增长;平均销售单价则因市场仍处于供过于求,而呈现8~10%的下跌,第四季NAND Flash营收达27.49亿美元,季减11.4%。

* 西部数据:整体位元出货增长7%

受server客户仍处库存去化周期影响,西数2020年第四季合约价走势呈现疲弱,季跌9%。然受惠于通路端销售持续增长,以及client SSD因笔电需求持续上升,整体位元出货仍有7%增长,大致抵消对价格下跌造成的冲击,第四季NAND Flash营收仅衰退2.1%,达20.34亿美元。

* SK海力士:位元出货季增达8%

同样受惠于中国智能手机厂商的积极拉货,2020年第四季SK海力士位元出货季增达8%,而平均销售单价主要受市场供过于求影响,季跌8%。价跌量增之下,第四季NAND Flash营收大致持平于上季,达16.39亿美元,季减0.2%。

美光:位元出货上升17~20%

受惠于智能手机客户备货力道延续,以及美光QLC SSD产品在PC OEM的需求持续增加,使其在2020年第四季位元出货上升17~20%,平均销售单价同样因市场需求仍疲弱而下跌约10~13%,第四季NAND Flash营收为15.74亿美元,季增2.9%。

英特尔:位元出货恢复增长近25%

历经2020年第三季因data center及enterprise客户去化库存,导致近25%的位元出货衰退后,第四季英特尔客户采购动能虽仍疲弱,但已较上季恢复,加上PC OEM的需求持续挹注,使其位元出货恢复增长近25%。

平均销售单价方面则同受市场供过于求影响,下跌近20%,第四季NAND Flash营收为12.08亿美元,季增4.8%。

二)闪存市场Q1展望

全球闪存市场统计,2020年全年NAND Flash产业营收达567亿美元(Q1至Q4,NAND Flash产业营收分别为136亿美元、145亿美元、145亿美元、141亿美元),对比2019年的460亿美元提升约23%。

展望2021年,集邦咨询认为第一季度供给端由于三星(Samsung)、长江存储(YMTC)积极扩产,以及各供应商均转进更高层数等影响,位元产出将显著增长。

需求端尽管笔电及智能手机品牌商备货动能延续,但仍因传统淡季而订单略有下修。此外,server与data center客户库存虽已大致回到健康水位,但尚未恢复采购动能,议价时供应商仍预期市场供过于求将会扩大,使合约价继续下跌,第一季营收将呈现衰退走势。

三)厂商未来规划

三星电子:加快提升第六代V-NAND生产比重

三星电子认为在移动产品和数据中心的强劲需求下,今年全球总体需求将恢复。三星将加快提升1znm DRAM和第六代V-NAND生产比重,继续扩大与全球主要客户合作,并积极推出下一代基于EUV工艺的1anm DRAM和第七代V-NAND产品,以继续提升技术领先地位,并增强成本竞争力。

2021年三星电子为最积极扩产的供应商,除了在西安二期持续扩产外,也将开始在平泽二厂布建3D NAND生产线。产品方面,目前仍以V5(92L)为主要供给,但今年会大幅拉升V6(128层)的比重,将扩大应用在SSD以及UFS等产品。

铠侠:112层BiCS5产品出货比重将提升

铠侠除有缓步扩张K1厂的规划,也将维持于第一季动工兴建四日市Fab 7、北上市K2厂的规划,预定2022年后挹注产出,目标用以生产BiCS6或更进阶层数的产品。产品方面,其主要位元增长将透过产品世代的转进来达成,目前主流仍为96层BiCS4产品,112层BiCS5产品出货比重将于今年内明显提升。

近日,铠侠还宣布在日本三重县四日市工厂举行了奠基仪式,最先进的半导体工厂(Fab7)正式破土动工。该工厂致力于生产其专有的第六代3D闪存BiCS FlashTM。新工厂的建设将分为两个阶段,其中第一阶段的建设计划于2022年春季完成。

SK海力士:预定下半年推出176层产品

SK海力士表示,公司计划随着高性能计算(HPC)、人工智能(AI)市场的成长,在DRAM方面扩大包括HBM2E在内的高附加价值产品的出货比重。就NAND闪存方面,SK海力士准备积极推进基于128层NAND闪存的服务器SSD的客户认证,并继续产品多元化步伐。与此同时,SK海力士计划年内投产生产性更高的第四代1a纳米级DRAM与176层4D NAND闪存。

2021年SK海力士位元增长集中于产品层数的提升,128层产品的占比已于2020年底达30%,今年将持续增长,以取代72、96层的占比,并预定下半年推出176层产品。而并购Intel大连厂的进程方面,目前仍规划年底前完成大连厂及Intel SSD技术的产权移转。

* 美光:第二代176层产品将送样给品牌端

美光虽有128层的产品,但相较于其他竞争对手积极转进的策略,其对主要客户的出货都直接着重在第二代的176层产品,预计仍会在第二季前送样给品牌端。产品结构方面,其QLC出货占比再度提升,位元占比已达其NVMe SSD出货的50%以上。

* 英特尔:延续产品出货偏重QLC的策略

英特尔已与SK海力士达成出售协议,意即目前的产品分配、产能规划等不会再有大幅调整,仍延续其在enterprise SSD的优势,推动客户导入其144层产品,预计2021年大幅提升出货比重,并延续产品出货偏重QLC的策略。此外,今年为提升144层的产出效益,将于大连厂扩张产能,长期扩产效益将归属于SK海力士。

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封面图片来源:拍信网