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【功率器件】总投资超200亿,IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产

来源:全球半导体观察整理       

近年来,以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。

其中,IGBT,被视为电力领域的“CPU”,对新能源汽车、轨道交通、智能电网、节能环保等众多国家战略性新兴产业的发展,具有重要意义。

而第三代半导体作为后摩尔时代实现芯片性能突破的核心技术之一,也受到资本热捧,其应用领域包括电动汽车、光伏等功率、5G射频、手机快充等。

近日,湖南三安第三代半导体产业项目和规划生产IGBT的塞晶亚太大功率半导体项目均迎来重大进展。据悉。上述两个重大项目总投资超200亿元。

国内首条碳化硅全产业链生产线投产

△图片来源:湖南省人民政府网站

6月23日,湖南首个第三代半导体产业园项目湖南三安半导体项目迎来首批厂房投产点亮仪式,该项目是全球第三条、中国首条碳化硅全产业链生产线。

此前资料显示,湖南三安半导体项目总投资160亿元,主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。

△图片来源:湖南新闻联播视频截图

具体而言,该项目将建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

项目建成达产后预计可实现年产值120亿元,可直接提供4500个就业岗位,并带动上下游配套产业产值预计超1000亿,提供近10000个就业岗位。

△图片来源:湖南新闻联播视频截图

此外,湖南三安还与北京智芯、威胜信息共同签订了碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书,将联合攻关碳化硅功率模块科技项目,申报和创建国家创新中心。

赛晶科技IGBT生产线进入试生产阶段

△图片来源:塞晶科技官网

同日,赛晶科技集团有限公司宣布,公司旗下子公司赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司在浙江省嘉兴市嘉善县经济技术开发区举行了绝缘栅双极晶体管(IGBT)生产线竣工投产仪式,IGBT生产线进入试生产阶段。

据悉,赛晶科技于2019年3月正式启动了自主技术IGBT项目。随后,2019年7月赛晶IGBT项目正式签约落户嘉善,2020年6月赛晶IGBT生产基地动工建设,同年9月赛晶首款IGBT芯片和模块产品正式推出。

此前的资料显示,赛晶亚太IGBT大功率半导体项目总投资52.5亿元,其中项目一期投资17.5亿元,规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线,5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能将达到200万件IGBT模块产品。该公司IGBT产品应用将涵盖600V至1700V的中低压领域,面向电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

赛晶科技表示,IGBT生产线的投产有助于提高公司的市场竞争力,对未来的经营业绩带来积极影响。由于生产线从投产到达产尚需一定时间,预期产能的释放需要过程;同时,短期内还有固定成本增加的压力,投资者应注意投资风险。

封面图片来源:拍信网