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【功率器件】总投资5.1亿元 捷捷微电拟投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目

来源:全球半导体观察整理       

7月2日,捷捷微电发布公告,公司董事会会议审议通过了《关于对外投资的议案》, 同意公司在全资子公司捷捷半导体有限公司(以下简称“捷捷半导体”)建设“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”,总投资5.1亿元人民币。

根据公告,功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目计划采用深Trench刻蚀及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件,IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片,低电容、低残压等保护器件芯片及器件,中高电压功率集成芯片,平面可控硅芯片及其他芯片产品等。

该项目拟总投资 5.1 亿元人民币(分二期),其中,固定资产投入不低于总投资的80%,设备投入不低于固定资产投资的50%(包括净化成套装置);项目由全资子公司捷捷半导体实施,资金来源于捷捷半导体自有资金;项目选址于苏锡通科技产业园井冈山6号(全资子公司捷捷半导体),占地面积约56亩(现有地块)。

捷捷微电在公告中表示,公司此次对外投资是公司的战略需要,继续深耕功率半导体产业应用领域,进一步拓展公司产品结构符合产业结构之需要,提升公司产能与市场份额,有利于提升公司功率半导体进口替代能力和持续经营能力、综合实力及竞争力,有利于维护公司和全体股东的利益。

封面图片来源:拍信网