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【功率器件】闻泰科技IGBT系列产品已流片成功 近年许多新品进入收货期

来源:全球半导体观察    原作者:Kiki    

3月9日晚间,闻泰科技发布公告称,全资子公司NexperiaB.V.(“安世半导体”)于2021年设立了中国研究院,专注高压功率器件、模拟IC等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,以下简称“IGBT”)系列产品已流片成功,取得阶段性重大进展,各项参数均达到设计要求。

闻泰科技表示,IGBT流片成功后,仍需经过客户验证,后续量产计划具有不确定性。

图片来源:闻泰科技公告截图

半导体业务深耕 新品逐步进入收货期

公开资料显示,闻泰科技是一家全球领先的智能终端制造和半导体企业,自 2019年以来陆续收购安世半导体和Newport Wafer Fab(NWF),其半导体业务涵盖了芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试的产业链拓展。

据悉,安世半导体是全球领先的车规级功率厂商,其前身为恩智浦(NXP)集团标准产品部门,其拥有60多年半导体行业经验。安世半导体在主要的车规级功率、逻辑和模拟细分品类占据前排位置,细分到产品上则是在小信号二极管和晶体管、ESD 保护器件、Power MOS 汽车领域、逻辑器件、小信号MOSFET上占据优势。

自2021年起,闻泰在半导体业务上动作频频,一方面积极扩张规模,一方面加强技术研发。

2021年7月6日,安世半导体完成了对英国最大的晶圆Newport Wafer Fab(NWF)的100%收购,有效提升车规级IGBT、MOSFET、Analog和化合物半导体等产品领域的IDM能力。同日,安世半导体成立独立半导体设备公司ITEC,以满足对半导体设备的井喷式需求。随后不久,便又宣布安世马来西亚扩产。

研发层面,安世开设新的全球研发中心并扩大现有研发机构;前端晶圆制造厂实行全新技术的投资及投产;后端封测加强先进技术的能力。

规模效应和技术支撑的作用下,这两年安世半导体许多新品如 MOSFET、IGBT、PMIC 和第三代半导体等逐步进入收货期。目前,安世半导体正在加速布局第三代半导体产品,成为高效功率氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)的可靠供应商。

氮化镓方面,安世半导体已推出系列GaNFET产品,产品通过车规级认证并应用于新能源汽车领域,是全球少数可提供车规级氮化镓器件的厂商。

碳化硅方面,2021年11月,安世半导体推出了工业级650V、10ASiC肖特基二极管,汉堡晶圆厂已部署AixtronMOCVD设备采用G5WWC生产技术进行SiC外延批量生产,Newport晶圆厂也拥有SiC生产能力并已安装了化合物半导体联盟的SiC设备正在试产。

同时,安世半导体也通过投资、合作等方式深化第三代半导体产业布局,包括如投资基本半导体,与联合汽车电子有限公司、上海汽车电驱动有限公司、汽车工程咨询公司Ricardo合作等。

封面图片来源:拍信网