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【功率器件】捷捷微电南通项目一期计划今年第三季度开始试生产 二期项目提上日程

来源:全球半导体观察整理       

4月27日,捷捷微电在投资者互动平台表示,公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”建设用地位于南通市苏锡通科技产业园区内,是配套无锡和上海MOSFET团队,目前项目(一期)正在基础设施及配套等建设的最后阶段,计划今年第三季度开始试生产。该项目将有助于推动高端功率半导体发展,满足下游市场需求,扩大市场占有率,缓解MOSFET产能紧张的问题等。

此外,二期项目也提上日程。4月25日,江苏捷捷微电子股份有限公司发布公告称,董事会会议同意公司在控股子公司捷捷(南通)科技有限公司建设“高端功率半导体产业化建设项目(二期)”,总投资约6.5亿元。

公告显示,本项目在“高端功率半导体产业化建设项目”的基础设施及配套的基础上,拟采用芯片线宽0.13微米先进工艺制程,新增硬件设备共68台(套),新增软件系统2套。

封面图片来源:拍信网