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【制造/封测】台积电2纳米制程预计2023年风险性试产,三星弯道恐难超车

来源:TechNews科技新报    原作者:黄敬哲    

消息指出,台积电2纳米制程研发,现已离开寻找路径阶段,进入交付研发,且法人预期2023年下半年即可风险性试产。

台积电去年就成立2纳米专案研发团队,在考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径,如今台积电虽然仍没有公布细节,但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露,台积电2纳米即将采用全新的GAA技术,使用多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。

这是由于3纳米已达FinFET技术的瓶颈,会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,就算有EUV技术加持,但2纳米势必要转换跑道。虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA,意图在此技术上弯道超车台积电,但台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术,及EUV运用经验,将能使良率提升更顺利。

因此不少法人预期,若台积电2纳米在2023年即能投产,三星恐怕也很难实现弯道超车的计划。就目前台积电所公布的制程推进现况来看,采用EUV的5纳米良率已快速追上7纳米,显见台积电在良率提升上的底蕴,甚至有业界人士预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA,但在性能上未必能压过台积电,而GAA良率上的落差可能也不会如预期般明显,且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。

不过未来半导体制程将会更具竞争,不仅是三星,英特尔的SuperFin技术也不可小觑,虽然纳米节点时程落后,但实际性能并不算差。早有舆论认为,台积电及三星的制程竞逐,很多只是数字游戏,而英特尔其实相对踏实,就实际电晶体密度等指标来看,新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米,是非常大的单一节点升级。

只要英特尔也敢忍痛杀价,SuperFin仍然很有高端市场的竞争力,就如同三星8纳米已打出成绩一般,台积电虽然还占有优势,但仍不能轻敌。目前台积电已表示,未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山,将规划建设4个超大型晶圆厂,将成为下一轮半导体大战主力。

封面图片来源:拍信网