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【制造/封测】抢先一步导入 GAA 制程技术,三星要借此弯道超车台积电

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

外媒指出,因韩国三星3纳米先采用闸极全环电晶体(Gate-all-around,GAA)制程,龙头台积电预计2纳米开始使用GAA制程,此提高芯片运算效能及降低功耗的技术,将成为先进半导体制程竞争的新战场,也成为三星领先台积电的关键。

韩国媒体《BusinessKorea》报导,相较鳍式晶体管(FinFET),GAA是金属栅极全面性包覆,为环状结构,比FinFET金属栅极只包覆3面来说,增加更多半导体电路,再以闸极包覆纳米线,提高电路控制和稳定性,提升芯片运算效能,并降低芯片功耗。

因GAA技术是半导体制程革新,因此被三星视为超车台积电的重要武器。报导指出,虽然就3纳米制程发展状况,台积电开始与苹果、英特尔合作3纳米制程测试,预计2022下半年量产,而三星3纳米制程最快要到2022年才会推出,正式量产时间则到2023年,仍旧落后台积电。英特尔目前还在7纳米制程,落后台积电与三星约一世代。

若从导入GAA制程角度来看,三星就可能超越台积电。原因是三星2022年就开始试产3纳米制程导入GAA,但台积电要到2023年才开始由2纳米导入GAA,更不用说英特尔2024年才采用改良自GAA制程技术的RibbonFET制程生产2纳米。三星进一步领先竞争对手,也有机会取得客户青睐。

虽然市场第一个量产3纳米制程的头衔将由台积电拿下,但先导入GAA制程技术是三星。透过GAA制程改变,三星预计可弯道超车台积电。

封面图片来源:拍信网