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【制造/封测】韩媒:DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺

来源:全球半导体观察整理       

据韩媒etNews报道,韩国晶圆代工厂商DB HiTek通过在硅晶圆片上制作由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。该技术能够应对通信设备、电动汽车充电器和太阳能转换器等快速增长的市场。

韩媒etNews报道称,DB HiTek将生产基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术的8英寸半导体。这是一种使用“硅上氮化镓”(GaN-On-Si)技术在硅芯片上沉积GaN材料薄膜的技术。GaN是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。

报道指出,应用GaN-On-Si技术时,由于有利于在硅芯片上沉积GaN,所以预计该技术可以通过提高半导体制造的竞争力来简化芯片加工以增强盈利能力。

根据报道,DB HiTek预计今年将利用其忠北工厂来应对8英寸市场,该公司计划通过充分利用忠北的Sangwoo fab产能或进行额外投资来满足对电动汽车和电动设备等8英寸半导体的需求。

封面图片来源:拍信网