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【制造/封测】宏光半导体发布两大战略合作,持续加码布局GaN领域

来源:全球半导体观察    原作者:竹子    

近日,宏光半导体发布公告,公司分别与GUH Holdings Berhad(以下简称“GUH”)订立无法律约束力谅解备忘录、科通芯城集团签订战略合作协议。

图片来源:宏光半导体公告截图

与两家企业合作推进GaN业务发展

根据谅解备忘录,公司和GUH拟在以下方面共同合作:为GUH提供电池工厂的建设计划及采购相关设备;向GUH提供100兆瓦时储能站的全套模块设备;及在马来西亚及东南亚销售公司的快充电动单车产品及GaN器件产品。

同时,公司与科通芯城集团订立战略合作协议。根据战略合作协议,合作方将协助公司于中国出售集团生产芯片。双方将联合推广芯片应用及发展,而合作方将为公司市场发展长期战略合作夥伴。

据悉,科通芯城是行业领先的企业服务平台,旗下的科通技术为中国知名的IC及其他电子元器件交易型电商平台。

公开资料显示,宏光半导体的业务包含新一代半导体GaN相关产品的设计、开发、制造、分包服务及销售。其与上述两家公司的战略合作一方面发展快速充电应用产品业务;另一方面扩展自身销售芯片渠道,增加芯片销售业绩。

集邦咨询预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元

据TrendForce集邦咨询研究推估,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。

其中,GaN适合高频率应用,包括通讯装置,以及用于手机、平板、笔电的快充。相较于传统快充,GaN快充拥有更大的功率密度,故充电速度更快,且体积更小便于携带,吸引不少OEM、ODM业者加入而开始高速发展,预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

TrendForce集邦咨询特别提到,相较传统Si base,第三类功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵,目前在各大衬底供应商的开发下,包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能,并将在2022下半年量产8吋衬底,预期第三类功率半导体未来几年产值仍有成长的空间。

2021年三笔投资聚焦GaN领域

功率半导体市场辽阔,宏光半导体在去年便在GaN领域频频投资。

2021年2月,公司宣布收购快速电池充电系统解决方案提供商GSR GO集团,对Fast Charging实现了全资控股。Fast Charging从事第三代半导体GaN芯片设计研发、工艺制造、封装测试、系统应用开发,是国内少数具备GaN芯片一体化生产能力的IDM供应商。

2021年8月末,宏光照明宣布其全资附属公司FastSemi Holding Limited已投资以色列的VisIC Technologies Limited(VisIC)。据悉,VisIC是第三代半导体领域GaN(氮化镓)器件的全球领先者,团队拥有深厚的氮化镓技术知识和数十年的产品经验基础。VisIC公司申请布局了氮化镓技术的关键专利,在此基础上成功开发了氮化镓基大功率晶体管和模块,正在将其推向市场,其高效可靠的产品可广泛使用于电能转换、快速充电、射频和功率器件等应用领域。

2021年10月,宏光照明发布公告,正式更名为宏光半导体。

2021年11月末,宏光半导体再次宣布其全资附属公司FastSemi Holding Limited已投资于加拿大GaN技术的全球领导者GaN Systems Inc(GaN Systems)。GaN Systems的现有股东包括BMW i Ventures及 Fidelity 等,并成功成为 Apple快充的供应商,拥有绝对优势。目前,GaN Systems正在进行资本融资,以期加快GaN技术在汽车、消费者、工业和企业市场的开发和应用。

以上三家企业业务均在GaN领域上技术领先,宏光半导体此举表明其正式加码第三代半导体尤其是GaN领域。迈入2022年,宏光半导体加速投资,将继续深化GaN布局,未来值得期待。

封面图片来源:拍信网