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【制造/封测】士兰微与大基金二期向士兰集科增资完成,加快12英寸集成电路芯片生产线的建设

来源:全球半导体观察    原作者:Kiki    

4月13日,士兰微发布关于与大基金二期共同向士兰集科增资完成的公告。

士兰微表示,公司与大基金二期根据《增资协议》以货币方式共同认缴的出资885,000,000元已于近日全部实缴到位。士兰集科最新的股权结构及实收资本情况如下所示:

图片来源:士兰微公告截图

今年2月21日,士兰微发布公告称,公司参股公司士兰集科拟新增注册资本8.27亿元,公司拟与大基金二期以货币方式共同出资8.85亿元,认缴士兰集科本次新增注册资本。

其中,士兰微出资2.85亿认缴新增注册资本2.66亿;大基金二期出资6.00亿认缴新增注册资本5.61亿,本次增资溢价部分计入士兰集科的资本公积。

士兰集科另一方股东厦门半导体放弃优先认购权。本次增资完成后,士兰集科的注册资本将增加为3,827,953,681元。同时,本公司拟与大基金二期、厦门半导体及士兰集科签署与本次增资相关的《增资协议》。本次增资完成前后,士兰集科的股权结构如下:

图片来源:士兰微公告截图

据悉,士兰集科成立于2018年,其背景可以追溯到2017年12月士兰微与厦门市海沧区人民政府签署的《战略合作框架协议》。协议显示,士兰微与厦门半导体共同建设12英寸特色工艺芯片项目,拟共同投资170亿元,在厦门(海沧)建设两条12英寸90~65nm的特色工艺芯片生产线,产品定位为MEMS、功率半导体器件及相关产品。

公开消息显示,士兰厦门12英寸特色工艺芯片生产线于2018年10月18日正式动工、2019年12月23日封顶、2020年12月21日正式投产。官方资料称,士兰集科在12英寸线上实现了多个产品的量产,包括沟槽栅低压 MOS、沟槽分离栅 SGT-MOS、高压超结MOS、TRENCH肖特基、IGBT、高压集成电路等。

3月29日,士兰微披露2021年年度报告。报告期内,士兰微实现营业收入71.94亿元,同比增长68.07%,实现归属于上市公司股东的净利润15.18亿元,同比增长2145.25%。其中,士兰集科基本完成了12英寸线一期产能建设目标,2021年12月份,士兰集科公司12英寸线月产芯片超过3.6万片,全年产出芯片超过 20 万片。

此外,2021年5月,士兰集科公司已着手实施二期建设项目,即《新增年产24万片12英寸高压集成电路和功率器件芯片技术提升和扩产项目》。而本次增资的主要目的是进一步增加士兰集科的资本充足率,加快推动12英寸线的建设和运营,有利于士兰集科产能提升,为士兰微提供产能保障,对士兰微的经营发展具有长期促进作用。

封面图片来源:拍信网