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【制造/封测】未来投资有望达2606亿,三星P3晶圆厂5月装机

来源:全球半导体观察整理       

据韩国媒体《The ELEC》报道,三星位于平泽市的P3晶圆厂将于5月开始安装设备,并持续到7月,较原计划时程提前一个月,预计下半年建设完成。

三星平泽市P3晶圆厂于2020年开始建设,占地70万平方米,将成为全球最大晶圆厂厂区,是三星P2晶圆厂1.7倍。三星计划未来几年内对P3晶圆厂的投资将达30万亿-50万亿韩元(约合人民币1563.6亿元-2606亿元)。

据悉,三星平泽市P3晶圆厂既生产存储器又生产逻辑芯片。不过将率先生产NAND Flash快闪存储器,之后开始生产DRAM,最后是3纳米制程晶圆制造与代工产线。

此外,平泽晶圆厂将大量采用极紫外曝光设备 (EUV) 生产,报道提到,这一工厂的NAND闪存生产线,将采用极紫外光刻机生产第7代176层V-NAND闪存,而为其他厂商代工晶圆的3nm工艺,也需要极紫外光刻机。

封面图片来源:拍信网