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【制造/封测】思特威成功开发国产自研高端BSI工艺平台

来源:全球半导体观察整理       

据思特威官方公众号消息,近日,思特威与合肥晶合集成合作推出了国产自研高端BSI工艺平台。

在CMOS图像传感器小像素尺寸与高分辨率的市场趋势下,BSI(Back SideIllumination)即背照式入射受到市场的重视和需求。相较于前照式入射方案,BSI将光线入射方向改至光电二极管的背面,可大幅提升 CMOS 图像传感器的量子效率,降低电路光学串扰,同时解决了像素尺寸微小化和扩大光学视角响应方面的重要难题,进而实现极佳的暗光成像品质。

据悉,早在2020年,思特威就已与晶合集成携手成功推出了DSI工艺平台并实现量产。为了继续提升产品性能,2021年思特威开始进行本土BSI背照式先进工艺平台的研发,在多项关键技术工艺上取得突破性成果,创新推出了国产高端BSI工艺平台。此次思特威携手晶合集成推出的国产自研高端BSI平台通过晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术等三大关键工艺,可为当下智视应用提供一流的暗光成像性能。

该BSI高端工艺平台搭载晶圆键合技术,采用直接键合方式降低键合过程中晶圆畸变的产生,大幅提升其键合力,实现高像素性能;同时,为实现更好的BSI光电二极管结构,藉由思特威开发优化的晶圆减薄技术,可在晶圆研磨减薄中最大程度减少硅的损耗,保障超高精度并将硅衬底厚度成功减薄,而且对于850nm与940nm的近红外增强也做了工艺优化,保障了晶圆强度并实现出色的感光性能;此外,该平台还采用了业内前沿工艺材料打造硅表面钝化技术,避免了晶片抛光后对光电二极管的损坏,进一步减少白点与暗电流的产生,提升CIS的暗光成像表现。

封面图片来源:拍信网