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【制造/封测】百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线

来源:全球半导体观察整理       

据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百斯特达”)的工作人员对动力设备、存水系统、空气压缩机等进行最后调试。

百斯特达副董事长刑艳表示,思特达半导体是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业,始终致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局。

刑艳指出,目前,氮化镓半导体芯片项目的车间装修、机电设备安装等收尾工程已经完工,在高新区管委会的协助下,企业定制的工艺设备陆续运输、安装到位。预计5月下旬,进入工艺设备调试、企业生产线和人员进驻阶段。项目需要经过2个月的中试后正式投产。

报道称,氮化镓半导体芯片项目正式投产后,百思特达将成为东北地区规模最大的氮化镓芯片完整产业链综合高新技术产业企业。

据介绍,氮化镓半导体芯片项目总投资3亿元,占地面积125亩,总建筑面积5万余平方米。项目包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容,可为企业增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。

封面图片来源:拍信网