来源:全球半导体观察
1月25日,联电与英特尔共同宣布,双方将合作在英特尔美国亚利桑那州厂开发和制造12nm制程平台,以因应行动、通讯基础建设和网络等市场快速成长需求。
图片来源:英特尔官网截图
两家公司表示,将致力满足客户需求,通过生态系合作伙伴提供的EDA和知识产权IP解决方案,合作支援12nm制程的设计实现,12nm制程预计在2027年投入生产。据了解,联电与英特尔合作开发的12nm制程,将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造,透过运用晶圆厂的现有设备,大幅降低前期投资,并最佳化利用率。
联电表示,与英特尔这项长期合作,是结合英特尔位于美国的大规模制造产能,和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验,以扩充制程组合,同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链,协助全球客户做出更好的采购决策。
英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务(IFS)总经理潘(Stuart Pann)表示,双方策略合作展现为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺,也是实现英特尔在2030年成为全球第2大晶圆代工厂的重要一步。
联电共同总经理王石表示,联电与英特尔在美国合作制造12nm鳍式场效电晶体FinFET制程,是追求具成本效益的产能扩张,和技术升级策略的重要一环。并称,这项合作将协助客户顺利升级到12nm制程技术,同时受惠扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔策略合作,利用双方互补优势,扩大潜在市场,同时大幅加快技术发展时程。
据TrendForce集邦咨询研究显示,在2023年第三季度晶圆代工市场中,联电以6.0%市占率占据全球第四的位置,而英特尔晶圆代工服务(IFS)则为1.0%,居位全球第九。
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