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晶圆代工霸占热搜榜

来源:全球半导体观察    原作者:轻语、竹子    

本周晶圆代工领域消息不断:台积电美国工厂发生爆炸、欧洲首座工厂动工时间揭晓;EUV光刻机再次受到关注,英特尔与台积电面对ASML新设备,态度不一;先进制程竞争愈演愈烈,台积电N3家族进度再刷新....

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台积电美国工厂爆炸,官方回应不影响营运或工程进行

据央视新闻报道,台积电美国亚利桑那州北凤凰城的芯片工厂于当地时间5月15日下午发生爆炸,造成一名工人受伤。

台积电随后发布声明,确认该工厂发生爆炸事故,爆炸原因为进场的外包硫酸清运槽车异常,一名外包商清运司机查看时发生意外,爆炸致这名男子受重伤,台积电表示,救护车第一时间便将其送往医院。据亚利桑那州建筑行业委员会消息,这名司机伤势过重已经死亡。

而对于厂房营运情况影响,台积电称,此次爆炸并未对其晶圆代工厂设施造成损害,此事件不影响营运或工程进行。

据悉,台积电在美国亚利桑那州凤凰城的投资计划始于2020年,当时表示将投资120亿美元,建设先进的半导体制造工厂。2022年12月,该公司宣布计划在该地区建设第二座晶圆厂,将总投资增加至400亿美元。

值得注意的是,第二座晶圆厂将生产世界上最先进的2nm制程工艺,预计将于2028年开始生产。2024年4月,台积电宣布计划再增加250亿美元,使得总投资额达到650亿美元,并在2030年之前在亚利桑那州建设第三座晶圆代工厂。

台积电在美国建厂以来长期受困于工人短缺、成本高昂、水资源短缺等问题。亚利桑那州的芯片工厂进度也受此影响,进度几度延迟。根据TSMC 2022年前十大客户披露,有七家公司总部位于美国,占据当年总收入的约60%,特别是苹果一家贡献收入23%。美国芯片厂的推进对于台积电的全球布局十分重要。

此外,据路透社报道,台积电设在德国的欧洲首座工厂计划在今年第四季度开始动工。台积电欧洲子公司总经理在5月14日在荷兰举行的会议上透露,建厂作业正在按计划进行,将在2024年第四季度开始建设。

台积电去年同意与博世、英飞凌和恩智浦三家欧洲芯片企业合资设立欧洲半导体制造公司ESMC。台积电对ESMC持股70%,另外三家企业各持股10%。

在去年八月的新闻稿中,合作方预估ESMC整体投资将超过100亿欧元。据悉,ESMC位于德国德累斯顿的首座晶圆厂聚焦车用和工业用半导体,主要瞄准28/22nm平面CMOS和16/12nm FinFET这些成熟制程。该晶圆厂建成后产能将达到每月40000片12英寸晶圆。

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英特尔抢先一步,台积电:“不抢ASML新设备”

据TrendForce集邦咨询2023年第4季全球前十大晶圆代工排名来看,台积电仍占据大部分市场份额,稳坐晶圆代工产业头把交椅,其次是三星。而英特尔自重拾晶圆代工业务后,奋发图强,其IFS(Intel Foundry Service)代工业务于去年第三季首次进榜前十,但因CPU正处新旧产品世代交替之际、Intel备货动能不彰等因素,于第四季度遭PSMC及Nexchip挤下前十大排行。

纵观先进制程情况,目前,台积电、三星、英特尔正走在技术研发的前列。当前受AI、高性能计算等新兴技术驱动,晶圆代工产业先进制程重要性愈发凸显,其中用到的关键设备EUV备受关注。

前段时间,英特尔宣布完成业界首台商用高数值孔径光刻机(High NA EUV)组装,业界表示十分好奇台积电的看法。对此,据中国台湾媒体引述台积电业务开发资深副总经理张晓强表示,台积电A16制程不一定要用阿斯麦(ASML)High-NA EUV。

资料显示,High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展。数值孔径(NA)是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率,从而有助于晶体管的进一步微缩。

随着先进制程的进一步创新,研发过程对技术设备要求也越苛刻,但张晓强认为,虽然对High NA EUV能力印象深刻,但设备价格过高,因此台积电目前设备可再用几年,即生产A16制程。

据业界资料显示,一般来说,芯片制造商可用旧设备生产先进芯片,前提是生产时需将原始设计分成多部分。芯片逐渐微缩,英特尔和台积电将术语改成「埃米」,A16等于1.6 nm。当制造解析度低于2 nm芯片,就需要能精细印刷电路的设备。张晓强称,现有EUV能力支持芯片生产到2026年底,届时A16制程将根据目前蓝图推出。

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先进制程竞争愈演愈烈,再探台积电/英特尔路线图

另外,台积电近期也分享N3家族的最新进度。据悉,N3E工艺如期进入量产,缺陷密度与2020年量产时的N5工艺相当。N3P按原订计划于下半年投产,跟N3E相比,N3P有望提高性能效率和晶体管密度。

台积电的N3家族对于台积电近两年扩大市场份额发挥着极为关键的作用,据悉,苹果、AMD、联发科、高通、Marvell以及许多车用客户均在排队争夺台积电3nm产能。台积电近期财报数据显示,3nm自去年三季度开始实现营收,随后获利渐趋稳定。今年一季度台积电营收约5926.4亿元新台币,其中3nm占晶圆收入的9%,5nm占37%,7nm占19%。去年四季度营收约196.24亿美元,3nm工艺收入占晶圆总收入的15%,5nm和7nm分别占晶圆总收入的35%和17%。

据悉,N3家族中最早的产品为N3(又名N3B),其生命周期较短,苹果是唯一主要客户。N3E制程为N3B的宽松版本,其取消一些EUV层,也牺牲一些晶体管密度,但有助于降低生产成本,并扩大制程窗口(processwindow)和良率。目前N3E将为台积电广大客户采用,包括许多业界最大芯片设计公司。对台积电客户来说,他们能相对较快地从改进制程中获益。


图片来源:台积电

N3P则是N3E光学微缩版,其IP模块、制程规则、电子设计自动化(EDA)工具和设计方法等都与前者兼容,因此台积电预计大多数新推出的下线(Tape-Out)将使用N3P,而非N3E或N3,因为N3P成本比N3低,性能效率却比N3E高。

据悉,N3P目前已经完成认证,良率表现接近N3E。在相同漏电率下,N3P制程能提高4%性能,或在相同时脉频率下功耗降低9%,晶体管密度提高4%。N3P的最终生产准备工作预计在今年下半年进行,届时将进入HVM(大批量制造)阶段。

而英特尔方面,该公司正计划2025年Intel 18A验证及Intel 14A量产,同时使用0.33 NA EUV和High NA EUV。


图片来源:英特尔

英特尔表示,公司正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标,目前,Intel 7采用EUV(极紫外光刻)技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产;正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点,将继续采用EUV技术,并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术,助力英特尔于2025年重夺制程领先性。英特尔还公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本。

封面图片来源:拍信网