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先进封装两大百亿级项目开工,三大尖端技术有何升级?

来源:全球半导体观察    原作者:竹子    

受AI芯片大面积需求带动,先进封装供不应求情况更甚,行业内三大先进封装技术CoWoS、SoIC、FOPLP红火,掀起了新一波市场技术竞争热潮。此外,中国大陆华天南京集成电路先进封测产业基地和通富先进封测基地两大百亿级项目获得最新进展,推动中国大陆先进封测产业进一步发展。

据TrendForce集邦咨询预估,2025年晶圆代工厂配套提供的2.5D封装营收将年增120%以上,虽在整体晶圆代工营收占比不到5%,但重要性日渐增加。

华天科技、通富微电两大百亿级先进封测项目获得最新进展

9月22日,华天南京集成电路先进封测产业基地二期项目在南京市浦口区奠基。

据悉,华天集团是国内集成电路封装测试行业领军企业,华天南京集成电路先进封测产业基地项目一期于2020年7月投产,2023年实现产值29亿元。在南京的良好发展,让华天集团决定再投资100亿元启动二期项目,拟新建20万平方米厂房及配套设施。

据介绍,华天南京集成电路先进封测产业基地二期项目将引进高端生产设备,建设具有国际先进封装水平的集成电路封装测试生产线,产品广泛应用于存储、射频、算力、AI等领域。

此外,通富先进封测基地两个子项目也取得新进展。公开资料显示,通富先进封装测试生产基地项目是2024年省级重大项目,包括通富通达和通富通科两个子项目。据南通新闻报道,9月20日,通富通达先进封测基地项目开工仪式在南通市北高新区举行。同日,通富通科Memory二期项目首台设备正式入驻,标志着百亿级重大项目通富先进封测基地的两个子项目同日取得新突破。

据通富微电官方消息,通富通达先进封测基地项目总投资75亿元,占地面积217亩,项目计划于2029年4月全面投产,全面达产后预计年新增应税销售60亿元、税收超亿元。该项目将主要涉足通讯、存储器、算力等应用领域,重点聚焦于多层堆叠、倒装、圆片级、面板级封装等国家重点鼓励和支持的集成电路封装产品。

通富通科Memory二期项目新增净化车间面积8000平方米,投产后整体每月可提供15万片晶圆。同时,新增1.6亿元设备投资,主要是嵌入式FCCSP、uPOP等高端产品量产所需的关键设备,能够更好地满足手机、固态硬盘、服务器等领域对存储器高端产品的国产化需求。

先进封装CoWoS战力无穷,台积电持续推进其升级迭代

供应链最新消息显示,在8月中旬买下群创南科四厂后,台积电已开展火速建厂计划,现在一边进行厂区交割,一边开始对工厂事务与设备协力厂下单,务求第一波新厂工程与设备能在2025年农历年前到位。据悉,台积电已将新购入的群创南科四厂列为先进封测八厂,内部代号「AP8」厂区。并且台积电已将群创南科四厂纳入明年整体CoWoS战力,力拼2025年总产能翻倍。

近日,台积电营运/先进封装技术暨服务副总何军对外表示,台积电正火速扩充先进封装产能,预期CoWoS产能到2026年都会持续高速扩产,在2022年至2026年产能年复合成长率将达50%以上。

从台积电CoWoS技术发展蓝图看,CoWoS已经扩展到提供三种不同的转接板技术(CoWoS中的“晶圆”):CoWoS-S采用硅中介层,基于现有硅片光刻和再分布层的加工;CoWoS-R使用有机转接板以降低成本;CoWoS-L使用插入有机转接板中的小硅“桥”,用于相邻芯片边缘之间的高密度互连(0.4um/0.4um L/S 间距)。

图片来源:台积电演示截图

对此台积电高效能封装整合处处长侯上勇表示,作为能满足所有条件的最佳解决方案,台积电的先进封装重点会从CoWoS-S逐步转移至CoWoS-L,并称CoWoS-L是未来蓝图关键技术。具体原因上,侯上勇表示,由于顶部晶片(Top Die)成本非常高,CoWoS-L是比CoWoS-R、CoWoS-S更能满足所有条件的最佳解决方案,且因为具有灵活性,可在其中介层实现异质整合,会有其专精的尺寸与功能。CoWoS-L可兼容于各式各样的高效能顶级芯片,例如先进逻辑、SoIC和HBM。

在CoWoS扩产方面,台积电不断加强与OSAT(专业封测代工厂)合作。据悉,台积电已将CoWoS前段关键CoW制程、后段WoS制程委外给了日月光投控旗下矽品精密以及Amkor(安靠)承接。后两者今年以来已陆续启动了先进封装产能扩增项目,伴随着相关订单技术层次拉高、利润较好,将助力日月光投控业绩增长。

Amkor方面,外媒近日消息显示,其完成了韩国仁川松岛K5工厂扩大2.5D先进封装产能的投资,产能较去年第二季度增长约三倍。预计Amkor今年2.5D先进封装的销售额同比将增长四倍。此外,七月底美国商务部宣布同Amkor签署了一份不具约束力的初步备忘录,美国政府将根据《芯片与科学法案》向Amkor授予至多4亿美元直接资金资助和2亿美元贷款。这笔拟议的资金将支持Amkor在亚利桑那州皮奥里亚的一个绿地项目投资约20亿美元。据悉,Amkor在亚利桑那州的新工厂将成为美国同类工厂中规模最大的。Amkor称该先进封装和测试设施将为世界上最先进的半导体提供完整的端到端先进封装服务,用于高性能计算、人工智能、通信和汽车终端市场。

日月光方面,行业最新消息显示,日月光投控中科厂及中科二厂等厂区已开始规划起来。值得注意的是,其全资子公司矽品精密在去年中旬以27.93亿元出售给环电的潭子厂区近期已买回,此厂区有望成为矽品扩产的主要基地,此外其现有的中山等厂区也开始进行空间调配与挪动。随着上述厂房无尘室建置完成后,机台也开始陆续进驻,预期至少新增逾两成产能。

日月光近期释出最新财报,8月合并营收为529.3亿新台币,环比增长2.6%、同比增长1.2%,创下单月合并营收近九个月来新高。日月光投控营运长吴田玉近期表示,今年先进封测业绩可较2023年倍增,预估2025年相关业绩目标续倍增。近三个月来,日月光投控已斥资221.42亿新台币,投入购置设备和厂务设施,透露集团积极强化量能,蓄势待发迎接产业成长盛况。

SoIC需求逐渐高涨,台积电嘉义厂有望成为未来重镇

AI浪潮驱动下,带动SoIC(系统集成单芯片)需求大增。公开资料显示,SoIC作为3D堆栈技术,将处理器、存储器、传感器等数种不同芯片堆栈、连结在一起,统合至同一个封装之内。这种方法可让芯片组体积缩小、功能变强,也更省电。

据悉,台积电SoIC是业界第一个高密度3D Chiplet(小芯片)堆栈技术,通过Chip on Wafer(CoW)封装技术,可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质集成。目前该芯片已于台积电的竹南六厂(AP6)进入量产。

目前台积电SoIC掌握四大客户,其中AMD是SoIC首发客户,MI300即以SoIC搭配CoWoS。业界消息指出,最大客户苹果也进入试产阶段,预计2025~2026年间量产,主要应用在Mac、iPad等产品,且制造成本比当前方案更具有优势。同时,公司也与英伟达、博通(Broadcom)正在进行合作,主要是应对硅光子及CPO趋势,可预期未来SoIC将成为继CoWoS之后,台积电的下一个先进封装利器。

行业消息显示,台积电目前正在建设中的嘉义先进封测七厂(AP7)共规划六个阶段,不仅将扩充CoWoS,也会建置SoIC。早前台积电SoIC率先在竹南厂实现量产,在CoWoS大扩产下,也因此占用了SoIC的扩产空间,长期来看SoIC生产重镇将在AP7。

FOPLP潜力无限,产业界多方持续发力

行业预估潜力巨大的FOPLP有望接棒台积电CoWoS和InFO,成为下一个延续摩尔定律的先进封装新星。

2016年,台积电着手开发名为InFO(整合扇出型封装)的FOWLP(扇出型晶圆级封装)技术,使得InFO爆火数年。这次,台积电宣布Foundry 2.0的同时,也把FOPLP和玻璃基板也在沉寂中带上了舞台;另外行业中“从wafer level(晶圆级)切换到panel level(面板级)”推进了这次热潮。

技术研发端看中国台湾包括台积电、日月光、群创、力成等加速布局。中国大陆厂商也在加速追赶,目前包括华润微电子、奕斯伟、天芯互联、中科四合、合肥矽迈微电子、广东佛智芯、矽磐微电子、华天科技等多家厂商已经量产或具备生产能力。行业消息显示,矽磐微电子FOPLP代工产线规划为月产能5万片;中科四合已量产基于FOPLP的DFN类TVS系列产品;华天科技FOPLP产业化项目预计于2025年部分投产等。

此外,韩国三星电子旗下三星电机(SEMCO)、Amkor、纳沛斯(Nepes)等,也积极投入到FOPLP研发中。而从市场客户端看,包括恩智浦(NXP)、意法半导体(STMicroelectronics)、超威(AMD)、高通(Qualcomm)等大企有望与上述厂商合作采用面板级封装。

产业界多方披露,FOPLP将透过方形基板进行IC封装,其中玻璃基板技术发挥着十分关键的作用。与多年来一直作为主流技术的有机基板不同,玻璃基板具有卓越的尺寸稳定性、导热性和电气性能,被业界视为可替代有机基板的下一代技术。行业人士透露,台积电某大客户在提供的下一代先进封装产品中规格需求中明确要求使用玻璃基板材料。英特尔也曾表示,玻璃基板可能为未来十年内在单个封装上实现惊人的1万亿个晶体管奠定基础。

近期,由中国台湾E&R工程公司领导的E-Core System大联盟宣布,将联合超过15家公司,共同推动玻璃基板技术在更复杂AI芯片和芯片片上的应用,以满足市场对高性能封装技术的需求。E-Core联盟的成立,标志着玻璃基板技术在先进封装领域的重要地位日益凸显。

包括英特尔在内的多家全球龙头公司一直在研究玻璃基板用于芯片片封装,并且在美国有CHIPS法案资金用于玻璃基板的开发。这些玻璃基板的尺寸为515×510毫米,需要进行玻璃金属化、ABF层压和最终基板切割。玻璃金属化的关键制程包括TGV(玻璃通孔)、湿法蚀刻、AOI(自动光学检测)、溅射和电镀。