三星电子计划将龙仁首座芯片工厂的投产时间提前至2029年

当地时间7月12日，韩联社援引行业消息人士报道，三星电子推进龙仁半导体产业集群建设提速，计划将园区内首座晶圆制造工厂投产节点提前至2029年，相较此前原定计划提早1至2年。

行业人士对外表示，龙仁首座工厂投产时间前移，核心目的是快速补足产能，响应全球AI芯片、高带宽存储产品持续激增的市场需求。龙仁为韩国国家级半导体战略工业园区，三星规划在该片区落地六座晶圆厂，定位为企业下一代先进制程与HBM存储核心制造基地，韩国政府同步配套推进土地平整、电力、供水等基建配套提速，保障工厂建设周期压缩落地。

早在6月29日，三星电子便对外披露本土超级投资方案，集团整体本土投资规模达2655万亿韩元。其中2030万亿韩元（折合约1.35万亿美元）投向首都圈两大半导体产业载体，覆盖现有成熟的平泽园区与新建龙仁芯片集群，资金主要用于先进逻辑、存储芯片产线扩建、工艺设备采购与前沿半导体技术研发。

为缓解首都圈土地、水电资源饱和带来的扩产限制，三星同步布局西南部全新生产基地，计划投入400万亿韩元，在首尔以南270公里的光州新建两座半导体晶圆工厂，打造韩国第二大芯片制造集聚区，分流AI存储与车用芯片产能需求，形成平泽、龙仁、光州三地协同制造格局。

产业公开信息显示，平泽当前为三星全球最大存储芯片生产基地，承载主流HBM、DRAM量产任务；龙仁集群建成后将承接新一代AI算力芯片产能；光州新厂区则重点分担首都圈外溢订单，分散区域配套资源压力，适配中长期全球算力硬件增量需求。