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闪存相关资讯

群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货

快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导群联昨(6)日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。

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东芝斥资 1 兆日圆新建快闪存储器厂,2020年底量产

日前日本东芝半导体在日本东北部地区岩手县北上市,举行了首座半导体晶圆制造厂 K1 的奠基仪式。该工厂预计将在 2019 年第 3 季完工,未来将专门进行 3D 快闪存储器的生产工作。

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供过于求 路透社:存储器市场荣景将到尽头

报导指出,业界技术更新转向3D NAND快闪存储器,组装成本降低,使今年产量成长速度超过需求,规模芯片商被迫降价以维持市占率。当前,NAND快闪存储器价格与2017年的高峰相比近乎腰斩。

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QLC 3D NAND Flash来势汹汹  SSD控制器准备就绪

更大容量、更高效能一直是固态硬盘(SSD)产品发展的主要方向,而为了迎合此一目标,大多数NAND Flash厂都计划在2018年下半推出采用QLC架构的64层3D NAND Flash,并预计在2019年将其应用在96层产品上。

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华泰接单强劲 转盈有望

华泰受惠于今年NAND Flash晶圆货源充足,让华泰接单明显回流,第二季合并营收达36.31亿新台币,较第一季成长15.7%,与去年同期相较成长10.5%,表现优于预期。

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抢先插旗90层TLC市场 三星宣布量产第5代V-NAND

三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND快闪存储器,第5代V-NAND 堆栈层数超过90层,且为首度支援Toggle DDR 4.0传输界面的NAND快闪存储器,其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps,相较于前一代64层的产品,传输速度提高了40%,并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

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【本周重磅】SK海力士8英寸新厂落户无锡;三星量产第五代3D NAND闪存...

近日,有不少韩国媒体报道称,韩国第二大存储器制造厂商SK海力士在周二宣布,将在中国无锡建立一家合资企业,并建设一条新的8英寸(200毫米)晶圆模拟生产线...

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一周热点

NOR flash抢搭车用存储商机

旺宏电子(Macronix International)自诩为NOR flash市场的主导供应商之一,最近宣称已在这一车用市场排名第三。旺宏电子市场行销处资深处长Anthony Le更明白表示,该公司有信心在未来两到三年内进一步主导车用NOR flash市场。

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半导体产业变革将至 中国企业“翻身”机会出现

报道称,增长放缓的主要原因是存储器价格下跌。存储器在手机、数据中心的服务器等方面的使用急剧增加,占到半导体整体的三成左右。WSTS指出,存储器市场规...

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