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NAND Flash相关资讯

这家半导体大厂消息不断:扩产4纳米,236层NAND在路上

近日,三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后,市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程...

三星 晶圆代工 NAND Flash

存储器

NAND Flash层数之争:谁先触抵天花板?

得益于5G、大数据、云计算、物联网、人工智能等新兴产业的快速发展,存储器需求呈现倍数增长,发展空间广阔。其中,NAND Flash作为半导体存储器...

SK海力士 三星 NAND Flash

存储器

外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

铠侠第二代XL-FLASH™预计今年11月送样,明年量产

8月2日,铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级存储器(SCM)XL-FLASH™,可显着降低平均bit成本,同时提供高性能、低延迟存储性能...

存储器 NAND Flash 铠侠

存储器

NAND闪存芯片进入革新时代

近日,美光和SK海力士相继官宣,其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。其中,美光的闪存芯片由232层存储单元组成...

SK海力士 闪存芯片 NAND Flash

存储器

2023年DRAM需求位元成长仅8.3%为历年最低,NAND Flash有望以跌价带动搭载容量增长|TrendForce集邦咨询

根据TrendForce集邦咨询表示,2023年DRAM市场需求位元成长仅8.3%,是历年来首度低于10%,远低于供给位元成长约14.1%,预计至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻,价格恐将持续下滑...

DRAM NAND Flash

市场观察

Solidigm正式推出首款消费级SSD 采用144层3D NAND

8月3日,NAND闪存解决方案提供商Solidigm于今日正式推出Solidigm™ P41 Plus固态盘(SSD)。这也是Solidigm自2021年12月成立...

SSD固态硬盘 NAND Flash PC

存储器

SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示:“自2020年12月完成176层...

存储器 SK海力士 NAND Flash

存储器

地震、跳电、并购、建厂...这些存储大事件你都了解吗?

时光荏苒,转眼间,2022年已经走过一半,回顾过去,受新冠疫情、俄乌冲突、以及高通胀等因素影响下,全球存储产业发展不确定性进一步增加...

DRAM NAND Flash 半导体存储器

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