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采用最新V-NAND!三星推出990 PRO系列SSD

8月24日,三星电子宣布推出990 PRO系列SSD,这是该公司基于PCIe4.0的高性能NVMe SSD,针对图形要求高的游戏和其他密集型任务...

三星电子 SSD固态硬盘 NAND Flash

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下行态势持续,存储芯片价格或进一步下探!

近年来,全球半导体市场发展呈现两极化发展。其中,消费电子领域受新冠疫情、高通胀等因素影响,加上国际形势复杂多变,市场呈现下行态势...

DRAM芯片 NAND Flash 存储芯片

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东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题

近日,东芯股份在投资者互动平台表示,公司19nm先进制程的NANDFlash产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中...

闪存芯片 NAND Flash 东芯半导体

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再获资本青睐,至讯创新完成超亿元Pre A轮融资

2022年8月据悉,备受资本市场青睐的至讯创新顺利完成Pre A轮融资,融资额超亿元。本轮融资由国际知名投资机构华山资本领投...

NAND Flash 存储芯片 至讯创新

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超1000亿,三星加码NAND闪存、晶圆代工等新技术研发

近日,市场传出,半导体大厂三星电子将在本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND Flash产品研发...

三星 NAND Flash 闪存

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这家半导体大厂消息不断:扩产4纳米,236层NAND在路上

近日,三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后,市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程...

三星 晶圆代工 NAND Flash

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NAND Flash层数之争:谁先触抵天花板?

得益于5G、大数据、云计算、物联网、人工智能等新兴产业的快速发展,存储器需求呈现倍数增长,发展空间广阔。其中,NAND Flash作为半导体存储器...

SK海力士 三星 NAND Flash

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外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心

据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心...

三星 闪存芯片 NAND Flash

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铠侠第二代XL-FLASH™预计今年11月送样,明年量产

8月2日,铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级存储器(SCM)XL-FLASH™,可显着降低平均bit成本,同时提供高性能、低延迟存储性能...

存储器 NAND Flash 铠侠

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