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2018三星或扩产DRAM;SK海力士86亿美元投资无锡;兆易创新180亿开发19纳米DRAM制程

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,三星正在考虑明年扩大DRAM产能。之所以考虑扩产计划,是因为三星希望能长期保持其在DRAM市场的领先地位,并且与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距,而SK海力士、美光等厂商近期都传出建厂扩产、及制程升级计划,因此不得不有此考虑。

DRAM 内存 晶圆制造

一周热点

Q3全球半导体销售额创高 DRAM和NAND Flash表现佳

半导体产业协会(SIA)10月30日公布,2017年9月份全球半导体销售额为360亿美元,和前月相比提高2.8%。

DRAM NAND Flash

IC设计

传三星大举扩产DRAM 全球产能或暴增20%

三星电子准备按下毁灭开关,存储器的超级周期将画上句点?据传三星打算大举扩产,未来全球DRAM产出可能一举暴增20%。

DRAM 三星电子 NAND Flash

存储器

DRAM供不应求短期难解 三星计划下季再调涨报价3~5%

DRAM供不应求短期难解,全球DRAM制造龙头韩国三星半导体通知渠道商,计划明年第1季再调涨DRAM报价,涨幅3~5%。

DRAM SK海力士 三星

存储器

2018年三星或扩充DRAM产能 供给成长率将达22.5%

三星传出在考虑提高竞争者进入门槛的情况下,可能将扩大DRAM产能,恐将改变DRAM供给紧俏格局。

DRAM SK海力士 三星电子

存储器

兆易创新单季净利润增长近2倍 切入DRAM开拓新空间

10月27日,兆易创新发布2017年三季报。数据显示,兆易创新2017年前三季度实现营收15.2亿元,同比增长45%。

DRAM 兆易创新 NOR Flash

存储器

南亚科20nm提前一季达3.8万片 明年DRAM位元数增幅或达45%

南亚科的20纳米提前一季于第4季达到月投片量3.8万片,且预估第4季DRAM位元数增幅约15%,明年增幅达45%。

DRAM 南亚科 美光科技

存储器

180亿元!兆易创新与合肥产投签署12英寸晶圆存储器项目

10月27日,兆易创新发布关于签署合作协议的公告,公告称为进一步推动发展,兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(以下简称“合肥产投”)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》(以下简称“《合作协议》”)

DRAM 晶圆 兆易创新

存储器

存储器市场需求强劲 华邦电Q3净利创17年来新高

存储器制造厂华邦电子第三季迎接旺季,三大存储器产品需求强劲,交出亮丽的成绩。

DRAM 华邦电子 NOR Flash

存储器

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