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DRAM相关资讯

SK海力士2017年将扩大投资希望继续掌握市场竞争优势

2017-07-26

SK海力士预计将在2017年下半年开始，提高1x纳米生产制程的DRAM生产比例。

DRAM SK海力士 NAND Flash

4G芯片国产化率稳步提升，我国智能手机仍存在发展空间

2017-07-26

在过去十年中，全球一同见证了电子信息产业指数级的增长和国际格局的深刻重塑。

DRAM 智能手机电子信息产业

力成看好今年营运逐季成长 DRAM与Flash成长20%以上

2017-07-26

洪嘉鍮表示，力成上半年整体表现不错，下半年将会更好，就全年而言，今年全球半导体业预估年成长率可达12%，主要动能来自于DRAM与Flash，分别成长38%与24%。

DRAM 封测力成

受惠存储器价格高涨 SK海力士Q2获利飙升近九倍

2017-07-26

在全球存储器市况畅旺的带动下，SK海力士上季获利破表，缴出飙升近九倍的成绩。

DRAM SK海力士 NAND Flash

美光桃园N2厂复工 DRAM现货涨势将歇

2017-07-24

存储器大厂美光台湾地区桃园N2厂近期陆续复工生产，原预期造成缺货冲击苹果新机供应警报解除，且推升DRAM现货涨势将止歇。

DRAM 内存美光科技

DRAM缺货情况预计将持续至明年

2017-07-24

今年DRAM产业写下史上涨势最久记录，推升整体半导体产值同写新高。

创见：NAND Flash供给缺口仍未见缓减

2017-07-20

存储器的供需情况未见好转，且供货吃紧的程度更转趋严重，创见即表示，NAND Flash供给缺口仍未见缓减。

DRAM NAND Flash 创见

看好AI设备应用三星电子宣布增产8GB HBM2

2017-07-19

三星电子18日宣布增产8 GB第二代高带宽显存（HBM2），以满足包括人工智能、HPC（高性能计算）、先进绘图、网络系统、企业服务器在内等多项应用迅速成长的市场需求。

DRAM 三星电子

晋华DRAM制程技术开发技术合同通过评审交易额26亿

2017-07-19

记者日前从福建省晋江科技和知识产权局获悉，福建省晋华集成电路有限公司的“DRAM制程技术开发”重大技术合同通过评审。

DRAM 晋华集成电路内存

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