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群联大举进军AIoT、车载系统市场

群联今年大举进军AIoT、车载系统及服务器等高阶NAND Flash储存应用市场,于Embedded World展场掀起一波注目的焦点。

IC芯片 群联电子 AIoT

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上季DRAM价反转向下 今年Q1持续下探20%

DRAMeXchange指出,2019年1月份合约价格持续走跌,就一线PC-OEM大厂订价来看,主流8GB模块1月均价已滑落至50美元,且2、3月在月...

DRAM SK海力士 服务器内存

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2019 Embedded World | 佰维携特存SSD和嵌入式存储芯片再出发

国内知名存储器品牌BIWIN佰维科技将于2月26 -28日在德国纽伦堡举行的全球嵌入系统盛会Embedded World,为观众展示旗下全系列特存SS...

SSD 存储芯片 佰维存储

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WD 发布UFS 3.0 iNAND EU511 闪存产品

Western Digital宣布推出新一代 iNAND 嵌入式闪存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-L...

NAND Flash 存储芯片 西部数据

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集邦短评| 斥资千亿美元,SK海力士将在韩国兴建4座晶圆厂

集邦咨询认为,SK海力士在韩国龙仁市宣布打造半导体园区,可能基于以下考量:龙仁和现有的大型半导体厂如利川 (SK海力士DRAM厂)、清州 (SK海力士...

DRAM SK海力士 NAND Flash

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南茂可望受惠存储器转单效应 今年业绩看增1成

展望南茂今年整体营运,法人报告指出,南茂虽然可持续受惠面板驱动整合触控单晶片(TDDI)封测价格调整;不过今年第1季存储器价格下滑、市场终端需求趋缓,...

存储器封测 南茂科技

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避开与大厂正面交锋 南亚科、华邦电攻利基型产品

据台湾经济日报称,台系南亚科、华邦电等存储器芯片厂不投入扩产军备竞赛,而是扩大利基型存储器布局,避开与大厂正面交锋。不过未来价格动向,仍得密切注意韩国...

南亚科 存储芯片 华邦电子

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英特尔eMRAM已准备好量产 基于FinFET工艺

英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10 年的记忆期,并可在超过100万个开关周期内实现持久性。 MRAM省电的特性,意味着英特尔嵌入式...

内存 英特尔

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斥资1000亿美元,SK海力士将在韩国兴建4座晶圆厂

根据《路透社》的报导,韩国存储器大厂 SK 海力士 21 日表示,将斥资 120 兆韩圆(约1,070亿美元)以兴建 4 家晶圆厂。SK 海力士新的存...

DRAM SK海力士 5G网络

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