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【功率器件】总投资200亿元!名芯半导体项目落户赣州

来源:全球半导体观察       

赣州经开区官方微信平台消息显示,6月6日,赣州经开区与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院(以下简称“电研院”)签订三方合作框架协议,名芯半导体项目落户赣州经开区。

据介绍,名芯半导体项目总投资200亿元,将分两期建设:一期投资60亿元,建设一条8英寸功率晶圆生产线;二期投资120-140亿元,规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线。两期项目达产达标后,预计实现年产值100亿元以上。

该项目涉及的产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。同时,项目规划建设与晶圆关联的封测工厂、IC设计公司、微电子研究院等三个项目。 


(图片来源:电子科技大学广东电子信息工程研究院官网)

资料显示,电研院于2007年8月由东莞市人民政府、电子科技大学和广东省科技厅联合共建,是广东省部产学研合作创新平台以及国家技术转移示范机构、国家级科技企业孵化器。这些年来,电研院以“技术+资本”为模式,已累计孵化各类电子信息高科技企业100余家。

名芯有限公司(香港)资产约20亿元港币,销售IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、CMOS(互补金属氧化物半导体)、存储芯片、MOSFET(金氧半场效晶体管)及半导体相关设备。目前已取得日本、美国等海外封测工艺专利授权500余项。

图片声明:封面图片来源于正版图片库,拍信网。

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