EN CN
注册

【功率器件】英诺赛科宽禁带半导体项目完成主体施工

来源:       

据看看新闻网报道,目前,英诺赛科(苏州)半导体有限公司项目主体施工已经完成。

资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

据规划,项目开工后两年内投产,投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标,年销售收入约80亿元,年税收不低于10亿元。

根据江苏经济报此前报道,该项目建成投产后将填补国内相关领域空白,并成为世界第一个大型量产基地。该项目也是该领域全球首个大型量产基地,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展,提供核心电子元器件。

封面图片来源:拍信网