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【功率器件】龙腾半导体闯关科创板 募资11.8亿元向Fab-Lite模式转变

来源:全球半导体观察整理       

6月24日,龙腾半导体股份有限公司(以下简称“龙腾半导体”)科创板上市申请获受理。根据招股书,龙腾半导体本次拟发行股份不超过3750万股,发行股份数量占发行后总股本的比例不低于25%,拟募集资金金额11.80亿元用于8英寸功率半导体制造项目(一期)。

资料显示,龙腾半导体成立于2009年7月,主营业务为以功率MOSFET为主的功率器件产品的研发、设计及销售,并为客户提供系统解决方案。据招股书介绍,龙腾半导体是为国内较早量产超结MOSFET、并将超结技术应用于中低压MOSFET产品的企业之一。

目前,龙腾半导体产品覆盖了功率MOSFET分立器件主要类别,形成了超结MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET四大产品平台,功率器件细分型号超过 500种,涵盖-30V至+800V电压范围的中低压、高压各产品系列。

值得注意的是,招股书指出,龙腾半导体目前主要采用Fabless经营模式,专注于功率器件研发、设计和销售环节,未来还将通过自建8英寸功率半导体外延片产线的方式,实现向 Fab-Lite模式的转变。

根据招股书,基于超结MOSFET良好的市场前景,以及公司丰富的技术储备,龙腾半导体拟投资建设“8英寸功率半导体制造项目”,由西安龙威承建。项目年产8英寸硅外延片360万片次44,其中项目一期投资11.8亿元,形成年产180万片次8英寸硅外延片;项目二期投资5.97亿元,形成年产180万片次8英寸硅外延片。

图片来源:龙腾半导体招股书

龙腾半导体本次募投项目为“8英寸功率半导体制造项目(一期)”,将新建生产8英寸普通硅外延片和8英寸超结MOSFET外延片的产能,建成后公司将:

(1)采购硅衬底片等原材料,自主完成外延层生长制备,实现年产60万片8英寸普通硅外延片,直接向下游晶圆代工厂销售,可用于制造公司的平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET晶圆;

(2)采购硅衬底片等原材料,自主完成10次外延层生长制备,实现年产12万片8英寸超结MOSFET外延片,然后通过外协完成后道工序(MOS结构制造、封装、测试)制成超结MOSFET封装成品,向下游应用领域的客户进销售。

龙腾半导体在招股书中表示,力争至2025年将公司打造为更大体量规模,产品涵盖20V-1800V范围的功率半导体器件并在特定细分领域领先的Fab-Lite模式的半导体企业。

封面图片来源:拍信网