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【功率器件】日厂抢攻EV用SiC功率半导体,东芝传扩产至10倍

来源:MoneyDJ       

抢攻电动车(EV)商机、日厂忙增产EV用次世代半导体碳化硅(SiC)功率半导体,其中东芝传出计划将产量扩增至10倍。

日经新闻3日报导,因看好来自电动车(EV)的需求将扩大,也让东芝、罗沐等日本厂商开始相继增产节能性能提升的EV用次世代半导体。各家日厂增产的对象为用来供应\控制电力的“功率半导体”产品,不过使用的材料不是现行主流的硅(Si)、而是采用了碳化硅(SiC)。SiC功率半导体使用于EV逆变器上的话,耗电力可缩减5~8%、可提升续航距离,目前特斯拉和中国车厂已开始在部分车款上使用SiC功率半导体。

报导指出,因看好来自EV的需求有望呈现急速扩大,东芝半导体事业子公司“东芝电子元件及储存装置(Toshiba Electronic Devices & Storage)”计划在2023年度将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍、之后计划在2025年度进一步扩增至10倍,目标最迟在2030年度取得全球一成以上市占率。

另外,罗沐将投资500亿日元、目标在2025年之前将SiC功率半导体产能提高至现行的5倍以上。罗沐位于福冈县筑后市的工厂内已盖好SiC新厂房、目标2022年启用,中国大陆吉利汽车的EV已决定采用罗沐的SiC功率半导体产品,而罗沐目标在早期内将全球市占率自现行的近两成提高至三成。

富士电机考虑将SiC功率半导体开始生产的时间自原先计划(2025年)提前半年到1年。

封面图片来源:拍信网