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【功率器件】国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心

来源:全球半导体观察整理       

据苏州工业园区发布消息,6月25日,国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会会议在苏州工业园区召开。

消息指出,会上,面向关键技术攻关方向,国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心,包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、微显示Led技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。

据了解,苏州工业园区自2006年起布局发展第三代半导体产业,目前已成为国内第三代半导体产业资源集聚度最高、产业化程度最好的区域之一,集聚上下游企业53家,形成了以“设备辅材-衬底外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整的产业链,吸引10余位国家级重点人才在园区创新创业,建设了加工平台、测试分析平台、封装平台等一批公共服务平台。

封面图片来源:拍信网