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【功率器件】产业专利超越发达国家,第三代半导体有望成为我国突围急先锋

来源:全球半导体观察整理       

“我国电子封装领域在国际上是较为领先的,现在新兴的第三代半导体产业也一样。我国在第三代半导体产业的专利已超越发达国家,第三代半导体非常有希望成为我国突围的急先锋。”8月9日,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院教授、先进焊接与连接国家重点实验室副主任田艳红阐述了我国半导体产业基础及未来发展的发力点。

据黑龙江日报报道,田艳红介绍,我国第三代半导体行业发展还存在一些技术瓶颈,比如芯片制造、封装材料开发及集成封装热管理等方面。发展半导体产业,黑龙江具有很大潜力,譬如有专注于半导体装备研发、衬底制造、器件设计的科友,有生产高纯靶材的江丰电子等企业。

与此同时,哈工大在半导体器件材料、封装等方面都具有很好的基础,哈工大的微电子系及材料学院的先进焊接与连接国家重点实验室的微电子封装都有很好的技术积累。

田艳红认为,我国在封装领域是处于国际前沿的,为此在封装领域可以实现新突破和创新,尤其是电子封装。田艳红进一步解释,集成电路发展到7纳米、3纳米后,若再继续减小节点,成本高,性能下降。可以通过系统级封装方式来提升整体性能,因此封装是一个可以实现集成电路超越的领域。

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封面图片来源:拍信网