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【功率器件】重庆万国半导体自研自产IGBT元件预计年内实现量产

来源:全球半导体观察整理       

据重庆日报报道,8月13日,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。

根据报道,目前该IGBT元件通过了用户试用,并获得了良好评价,预计在今年年内就可实现量产。该元件具有饱和压降低、开关损耗小、电流短路能力强等特点,其品质与国际上IGBT大厂产品相当。

据天眼查信息,重庆万国目前主要从事功率半导体芯片制造与封装测试,致力发展成为集功率半导体设计、研发、制造(芯片制造与封装测试)、销售与服务为一体的整合元件制造商。重庆万国是全球首家集12英寸芯片制造及封装测试集成为一体的功率半导体企业,具有电源管理及功率器件的芯片制造与封装测试技术;产品广泛应用于通讯行业、消费电子、工业自动化、汽车电子、工业控制等各个方面。

封面图片来源:拍信网