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【功率器件】天岳先进:公司8英寸衬底开发进展顺利

来源:全球半导体观察整理       

9月22日,天岳先进在投资者互动平台表示,截至目前,公司8英寸衬底开发进展顺利。衬底直径是衡量晶体制备水平的重要指标之一,也是降低下游芯片制备成本的重要途径,碳化硅衬底行业未来必然向着更大尺寸的方向发展。公司先前已经布局了8英寸产品的研发,是国内最早研发和布局产业化的企业之一,包括“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等。公司将持续加大8英寸导电型衬底产业化突破,在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上,加大技术和工艺突破,积极布局产业化。

资料显示,天岳先进是一家宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商,主要从事碳化硅衬底的研 发、生产和销售,产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域,公司已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型碳化硅衬底、产品尺寸较全的碳化硅衬底生产商。目前,该公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。

此前9月初,天岳先进称,公司现阶段正加快6英寸导电型衬底的市场开拓和产能建设,此次公司与客户签订了预计金额13.93亿元的长期协议,为公司6英寸导电型碳化硅衬底的销售提供了有力保障,具有较大的行业和市场影响力。

封面图片来源:拍信网