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【制造/封测】2312亿,事关多个芯片工厂建设

来源:全球半导体观察    原作者:王凯琪    

帕特·基辛格就任英特尔第八任CEO后,于2021年3月23日公布了《Intel Unleashed:Engineering the Future》,主要内容包括了7纳米计划、IDM2.0战略、Foundry规划、与IBM开展合作等。目前上述战略规划进展如何呢?

多国投资建厂规划接连落地 

3月15日,英特尔详述了斥资逾330亿欧元(约合人民币2312.54亿元)提振欧洲芯片制造业的计划,此前英特尔宣布在未来10年向该领域注入800亿欧元的计划,此次是第一阶段。

图片来源:英特尔公告截图

作为投资的一部分,英特尔将投资170亿欧元在德国马格德堡开发两个芯片工厂。该项计划预计将于2023年上半年开工建设,2027年底投产,等待欧盟委员会的批准。据悉,新的工厂预计将使用英特尔最先进的埃斯特晶体管技术交付芯片。

此外,英特尔计划向爱尔兰的现有工厂投资120亿欧元,将制造空间增加一倍并改善工艺;在意大利投资45亿欧元建立后端制造设施,目前正在谈判中;在法国建立一个新的研发和设计中心,并在波兰和西班牙进一步投资。

英特尔表示,马格德堡工厂以及在法国、爱尔兰、意大利、波兰和西班牙的投资,可能在十年内可获得近900亿美元的收益资金,并表示将会用来建造更多的工厂。

值得一提的是,意大利等国为吸引英特尔的投资,纷纷推出巨大的激励政策。

今年3月消息,意大利最近出炉的一份法令草案显示,该国计划在2030年前拨出逾40亿欧元的资金用于推动本土芯片制造业发展,以吸引全球领先的半导体企业的投资。其中,意大利最主要的目标是英特尔公司。

据悉,意大利希望能说服英特尔在罗马建造一座芯片工厂,罗马负责提供公共资金与其他优惠条件,该项目投资约80亿欧元,计划十年建成。

此前,英特尔表示将投资200亿美元在美国亚利桑那州建设两处工厂,一处用于生产CPU,一处用作Foundry。在2021年9月,官方表示两座新工厂已经正式开建,新工厂将被命名为Fab 52和Fab 62,预计在2024年全面投入使用。

“IDM2.0”战略下专注技术研发

除了在各国大量扩产建厂外,英特尔近日通过收购高塔半导体、与IBM开展合作、提前订购ASML先进光刻机等举措,进一步推动其技术研发。

2月15日,英特尔和模拟半导体代工厂高塔半导体(Tower Semiconductor)宣布达成收购协议,根据协议,英特尔将以每股53美元的现金收购高塔半导体,总企业价值约为54亿美元。该交易已获得英特尔和高塔半导体董事会一致批准,将在约12个月内完成。交易完成前,英特尔代工服务事业部与高塔半导体将独立运营。

据TrendForce集邦咨询表示,2021年第四季Tower营收在全球晶圆代工市场位居第九名,分别在以色列、美国及日本设立共计7座厂房,整体12英寸约当产能占全球约3%。其中,以8英寸产能较多,占全球8英寸产能约6.2%。

制程平台方面,Tower可提供0.8um~65nm少量多样化的特殊制程工艺,主要生产RF-SOI、PMIC、CMOS Sensor、discrete等产品,将助Intel在智能手机、工业以及车用等领域扩大发展。

集邦咨询认为,在英特尔代工事业正式与高塔整合后,英特尔将正式进入前十大晶圆代工排名。

另外,为了加速半导体开发和制造领域的创新,2021年3月23日,IBM和英特尔宣布了一项重要合作,两家公司将携手推进下一代逻辑和封装技术。

2021年5月,IBM宣布已成功研制出全球首款采用2纳米规格纳米片技术的芯片。公开资料显示,与当前主流的7纳米芯片相比,IBM 2纳米芯片的性能预计提升45%,能耗降低75%。与当前领先的5纳米芯片相比,2纳米芯片的体积也更小,速度也更快。目前对于英特尔是否会率先使用这项技术还未知。

此外,英特尔此前提出的7纳米计划称,在2021年第二季度开始研发7纳米,将在2023年实现量产。业界猜测,英特尔或将与IBM合作推动该计划的实现。

除了布局先进技术,英特尔也在设备上做了提前布局。近日,ASML爆出其新一代高数值孔径光刻机将于2025年首批供应给英特尔。据ASML发言人称,更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍,同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺,将极度依赖高NA EUV光刻机。

结语

总体而言,自英特尔公布其战略规划以来,许多措施接连落地,其在IDM和Foundry上的各项举措不仅有助于自身改善产业布局,也对全球缺芯现状起到一定的改善作用。在全球市场的强劲需求以及各国丰厚的芯片补贴政策下,英特尔的战略布局将更进一步。

封面图片来源:拍信网