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【制造/封测】主攻22/28nm制程,联电启动新加坡扩建计划

来源:全球半导体观察整理    原作者:Viki    

晶圆代工大厂联电启动新加坡扩建计划。7月6日,联电发布公告,公司将以租地委建方式兴建Fab 12i P3厂房,合约签订方为亚翔工程股份有限公司(新加坡分公司),合约总金额约新台币88.13亿元,将供生产使用。

此前2月,联电宣布将在新加坡Fab 12i厂区扩建一座新先进晶圆厂计划。新厂总投资金额为50亿美元,第一期的月产能规划为3万片晶圆,预计于2024年底开始量产。新厂(Fab 12i P3)主要生产22/28nm特殊制程技术,如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性存储器、RFSOI及混合信号CMOS等,在智能手机、智慧家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。

新厂主要针对5G、物联网和车用电子的需求,当时,联电表示,期望这座新厂能在满足这些市场强劲的需求上扮演重要角色,特别是协助纾解22/28纳米晶圆产能结构性的短缺。

另外,联电董事长洪嘉聪曾表示,新加坡Fab12i厂是公司的旗舰创新中心,与客户合作新的研发项目并将在新厂上线后,立刻投入生产。他还表示,近期,半导体供应短缺已明确点出半导体供应链必须提高透明度,共同降低风险,也是促成公司投资新加坡新厂的原因之一。

5月,联电公告指出,公司已承租位于白沙晶圆厂科技园区的土地,土地面积约11.17万平方米,使用权资产总金额为新台币9.54亿元,月租金新台币579.1万元,按月支付,租赁期限为30年,租期从今年7月16日起至2055年7月15日。

联电表示,新加坡新厂目前建厂进度符合预期,但机器设备交机时程可能延迟,仍努力持续与客户及供货商合作,确保对客户的长约供给维持不变。

据了解,目前,联电主要生产据点为中国台湾竹科与南科,以及中国大陆苏州和舰与厦门联芯,海外据点则有新加坡与日本。和舰的8英寸晶圆厂,月产能约8万片;联芯的12英寸厂,2021年第3季月产能已达第一阶段满载2.75万片规模,目前以提升营运效率为主;日本USJC的12英寸晶圆厂月产能约3.6 万片。

联电在新加坡已有一座12英寸厂为旗下12i厂,月产能5万片,主力制程为0.13μm到40nm,该厂提供客户多样化应用产品所需IC。联电在新加坡投入12英寸晶圆制造厂的营运已超过20年,新加坡Fab 12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。

此外,7月6日,联电公布6月营收达248.26亿元新台币(约56.11亿元人民币),月增1.61%,年增43.20%,连续九个月创单月历史新高。第2季营收达720.55亿元新台币,季增13.61%,远高于市场预期的季成长7-9%。

封面图片来源:拍信网