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年产2.8亿块集成电路产品 南通通富微电三期工程封顶

来源:全球半导体观察整理       

据通富微电官微消息,11月30日,南通通富微电子有限公司三期工程封顶仪式在苏锡通园区通富微电厂区举行。

通富微电三期工程总投资9.64亿元,位于苏锡通园区,此次三期工程一次性开工建设10万多平方米。项目采用集成电路封装、测试等具有自主知识产权的新技术、新工艺,建成后将形成年封装测试5G等新一代通信用集成电路产品2.8亿块的生产能力。

资料显示,南通通富是通富微电集团在苏锡通园区布局的高端先进封装测试基地,定位高阶封测技术,主要为5G、存储、AI、移动智能终端等产品提供全方位封测服务。

封面图片来源:拍信网