注册

存储技术相关资讯

国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展

近日,据华中科技大学官网消息,该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展...

存储器 晶体管 存储技术

存储器

又一家存储公司完成数千万元融资

近日,普华资本早期所投企业致真存储(北京)科技有限公司(简称“致真存储”)完成数千万元Pre-A轮融资,投资方包括俱成资本...

半导体存储器 存储技术

存储器

中国团队在FeRAM新型存储器领域取得新进展

基于HfO2的铁电存储器(FeRAM)由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注...

半导体存储器 CMOS传感器 存储技术

存储器

中国科学院微电子研究所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展

中国科学院微电子研究所刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法,并在128kb 1T1C FeRAM阵列上进行了验证...

半导体存储器 存储技术

存储器

"BBCube 3D”技术来袭,带宽比DDR5高30倍,比HBM2E高4倍

近日,日本研究人员报告称,他们设计出了一种新的集成处理器和存储器的三维技术,实现了全世界最高的性能,为更快、更高效的计算...

存储器 存储技术 DDR5

存储器

清华大学集成电路学院参与,这个存储器产业联合研究中心揭牌

近期,清华大学(集成电路学院)-深圳精智达技术股份有限公司新一代存储器测试系统联合研究中心揭牌。双方能够面向经济主战场...

集成电路 存储技术

存储器

3D X-DRAM技术问世,可生产230层128Gbit DRAM

近日,初创公司NEO Semiconductor宣布,推出其突破性技术3D X-DRAM。3D X-DRAM是第一个基于无电容器浮体单元 (FBC) 技术的类...

DRAM芯片 存储技术 3D DRAM

存储器

中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展

据“中科院微电子研究所”消息,为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成...

存储器 存储技术

存储器

北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得重要进展

近日,北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得了重要进展,研究成果...

存储器 半导体存储器 存储技术

存储器

< 123456......17>