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三星:下一代闪存将采用双层堆叠,可望实现256层

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术,最多可具有128层。引入双层堆叠技术后,使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层,取决于三星接下来的考量...

三星 存储芯片

存储器

如何让良品率达到99.98%?时创意做了这两点

11月12日,TrendForce集邦咨询举办了“MTS2021存储产业趋势峰会”,来自产业链企业的近千名嘉宾与会,座无虚席。会议围绕存储产业发展趋势,详细解读全球存储...

存储芯片

存储器

80亿美元,三星西安二期二阶段项目预计2021年年中投产

总投资80亿美元的三星高端存储芯片二期第二阶段项目正在稳步推进,预计2021年年中建成投产...

三星 闪存芯片 存储芯片

存储器

相变材料开启储存芯片新天地

存储器是集成电路最重要的技术之一,是集成电路核心竞争力的重要体现。然而,我国作为IC产业最大的消费国,相较于国外三星、英特尔等大型半导体公司的存储器。。。

存储器 存储芯片

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DRAM芯片 存储芯片

存储器

康佳存储芯片封测项目预计明年3月大规模量产

据盐城高新区报道,康佳集团存储芯片封测项目总经理刘嘉涵介绍,项目整体推进顺利,今年年底试产,明年3月可实现大规模量产,预计全部建成后年可实现销售40亿元...

存储芯片 康佳集团

制造/封测

西安三星二期第一阶段有望在第三季实现满产

“三星(中国)半导体有限公司一季度进出口额为278.67亿元,相较去年同期增加45%,二期项目第一阶段预计在今年第三季度实现满产。”14日下午,三星(中国...

三星电子 NAND Flash 存储芯片

存储器

佰维存储荣获“广东省复杂存储芯片研发及封装测试工程技术研究中心”认定

广东省工程技术研究中心是广东省科技厅为深入实施创新驱动发展战略而主导进行的认定,主要对象是广东省内行业、领域具有科技实力的规模以上创新型企业,包括...

存储芯片 佰维存储

存储器

封测产能达20KK/月 康佳存储芯片封测项目进展如何?

据盐城晚报报道,项目建设负责人表示,1号厂房总面积3.9万平方米,共有4层,5月4日封顶,现在正在进行外装修和门窗安装工作,预计6月30日基本结束,7月18日交付厂方进行内装修...

半导体封测 存储芯片 康佳集团

存储器

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