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HBM相关资讯

韩美半导体将推出第二代混合键合机原型

2026-04-10

韩美半导体表示，公司将于年内推出用于下一代HBM生产的“第二代混合键合机”原型机，并开始与客户合作...

半导体设备 HBM

三星或采用2nm工艺开发HBM5

2026-03-18

据韩国媒体 BusinessKorea 报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺...

SK海力士亮相英伟达GTC 2026，展示面向AI的存储器竞争力

2026-03-17

SK海力士表示：“公司在人工智能训练与推理领域，将能够最大限度缓解数据瓶颈、提升系统性能的存储器产品集成至英伟达的AI基础设施中。本次展会将以...

SK海力士英伟达 HBM

三星引入全新供电架构以降低HBM缺陷率

2026-03-03

三星预计将于今年开始量产HBM4E，并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术...

SK海力士与闪迪正式启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程

2026-02-26

2月26日，SK海力士宣布，于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司总部，与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会...

SK海力士 HBM

韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备

2026-02-14

据报道，韩美半导体发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品HBM5、HBM6打造...

半导体设备 HBM

到2038年HBF的存储需求或将超越HBM？

2026-02-06

被称作“HBM之父”的韩国科学技术院教授金正浩预测，由于HBM本身无法应对急剧增加的需求，行业将不可避免地采用HBF...

存储芯片 HBM

SK海力士发布2025财年及第四季度财务报告

2026-01-28

2025财年全年营收为97.1467万亿韩元，营业利润为47.2063万亿韩元，净利润为42.9479万亿韩元...

DRAM SK海力士 HBM

LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本

2026-01-15

LG电子正在开发用于高带宽存储器的混合键合堆叠设备早期版本，计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米...

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