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芝奇发表幻光戟DDR4 4266MHz CL17 (4x8GB)豪华套装

2017年11月24日 – 世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌,芝奇国际发表多款Trident Z RGB 幻光戟 DDR4高速低延迟套装,规格涵...

内存 芝奇国际 DDR

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传三星明年Q1调涨DRAM价格约5% 至上淡季不淡

受惠于智能手机增加DRAM搭载容量,加上支援人工智能运算的服务器大举提高DRAM平均安装容量至256GB以上,第四季DRAM市场持续缺货,第一季虽进入...

DRAM 三星电子 至上电子

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行动式内存价格高涨 Q4产值成长有望超越Q3的4.3%表现

整体而言,第三季行动式内存市场以缩小区域价格差异与微调高容量规格报价为主轴,报价平均涨幅落在5%以内,营收较第二季成长4.3%。单就三大主流供货商而言...

SK海力士 智能手机 内存

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东芝计划排除西数投资新工厂 施压西数撤销半导体出售诉讼

根据日本《共同社》报导,日本科技大厂东芝(Toshiba)日前召开董事会,除了确认将增资6,000亿日圆,也再次确认将加紧解决与美国西部数据(WD)在...

东芝半导体 西部数据

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晋华存储器项目FAB主厂房封顶 明年第三季正式投产

昨日上午,福建省晋华存储器集成电路生产线项目(以下简称:晋华项目)举行FAB主厂房封顶仪式,这标志着该项目建设向前迈出了坚实一步。

集成电路 内存

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紫光国芯:高性能第四代DRAM存储器芯片明年面市

近日,紫光国芯在接受信达证券等机构调研时表示,正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发,第四代产品容量更大、集成度更高、读写速度更快,预计...

DRAM 芯片 紫光国芯

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潘健成:群联未来三年持续成长 没有同等的对手

NAND Flash控制芯片暨模组厂群联虽然营运成绩亮眼,但近期又受财报不实案续查的消息干扰,该公司董事长潘健成表示,该公司每次遇到危机之后,都会出现...

群联 SSD固态硬盘 NAND Flash

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三星SZ985采64层3D SLC快闪存储器 抢食英特尔Optane商机

半导体大厂英特尔(Intel)在2017年初正式推出与存储器厂美光(Micron)合作的3D XPoint快闪存储器,并将其用在英特尔的Optane系...

英特尔 美光科技

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Q3 NAND Flash厂营收季增14.3% 2018年后市场转为供过于求

集邦研究中心咨询半导体(DRAMeXchange)最新报告指出,今年第三季度整体NAND Flash供需缺口较第二季扩大,但因价格已经历长时间连续调涨...

SK海力士 NAND Flash 美光科技

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