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【功率器件】氮化镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资

来源:化合物半导体市场    原作者:Amber    

近日,氮化镓芯片领先企业珠海镓未来科技有限公司(以下简称“镓未来”)宣布完成近亿元A+轮融资。

据悉,本轮投资由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资,深启投资担任独家财务顾问。融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品研发及应用方案开发,此外还将用于供应链建设。

镓未来成立于2020年10月,致力于高端氮化镓功率器件的研发、设计和生产,公司成立至今已累计融资三轮,合计超2亿元。

融资历程:

2021年2月,获得珠海科创投、大横琴集团、境成投资、礼达联马投资和世联行天使轮融资;

2021年8月,获得珠海科创投、大横琴集团、境成投资、礼达联马投资和世联行A轮融资,融资金额为数千万元;

2022年4月,获得天壹资本、盈富泰克、华金资本B轮融资。

2021年,镓未来研发并量产了适用于30W-120W电源适配器的氮化镓开关器件产品,主要应用于手机/笔记本快充中,在手订单达数百万颗。2022年将继续推出适用于140W、200W、330W等低功率应用场景的高性能氮化镓功率器件产品及电源整体解决方案。

目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带(Wide Band Gap;WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN),主要应用大宗为电动车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估,第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。


Source:TrendForce集邦咨询

其中,GaN适合高频率应用,包括通讯装置,以及用于手机、平板、笔电的快充。相较于传统快充,GaN快充拥有更大的功率密度,故充电速度更快,且体积更小便于携带,吸引不少OEM、ODM业者加入而开始高速发展,预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

封面图片来源:拍信网