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【功率器件】中北大学参与共建国家第三代半导体技术创新中心山西分中心

来源:全球半导体观察整理       

据“中北大学仪器与电子学院”消息,近日,山西省副省长于英杰在太原第一实验室主持召开国家第三代半导体技术创新中心(山西)推进会。

消息显示,科技部围绕国家重大区域发展战略部署,在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心,充分发挥各区域创新和产业优势,各平台互有侧重、协同创新,局部保持适度竞争,形成“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”的建设布局。

于英杰指出,建设国家第三代半导体技术创新中心是国家的重大战略需求。各共建单位要解放思想、形成合力,通过体制机制创新、产学研结合等方式,共同推动国创中心(山西)的建设。

据介绍,在第三代半导体技术研究方面,中北大学开展了硅基GaN-HEMT、SiC基高温集成电路、SiC高温微纳器件、SiC电力电子器件与系统等方面的研究。在器件设计方面,所依托的中北大学微纳加工中心是国内高校范围内技术先进的半导体工艺研发平台。

中北大学通过半导体学院、半导体产业技术创新联盟和省实验室等平台的建设,与中电科二所、中科潞安、风华信息装备等省内半导体龙头企业建立了长期有效合作,共同开展了半导体装备、半导体发光等领域重点研发计划和揭榜挂帅项目研究。

消息称,中北大学将立足自身优势资源,在本次国创中心的建设当中,配合牵头单位拓展第三代半导体产业链条,开展产业先导的技术研发,通过项目牵引,产教融合,培养出一批服务于山西省半导体产业的骨干人才。