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【功率器件】碳化硅渗透“踩油门”:衬底大厂释放积极信号

来源:科创板日报    原作者:郑远方    

近期第三代半导体行业消息频出。种种迹象表明,第三代半导体——特别是碳化硅正进一步加速渗透。

17日,全球碳化硅(SiC)衬底市占率第二的高意集团宣布,已与东莞天域半导体签订1亿美元供货订单,向后者供应SiC 6英寸衬底,从本季度开始到2023年底交付。

同日,全球SiC衬底市占率第一的Wolfspeed宣布,今年第四财季营收达2.29亿美元,同比增56.7%。公司还将2026年营收预期较去年底提出的21亿美元目标提高30%-40%。

16日,长城控股集团与江苏省锡山经济技术开发区签约战略合作,长城汽车旗下蜂巢易创第三代半导体模组封测制造基地项目落地锡山经济技术开发区。

13日,晶盛机电宣布,已成功研发出8英寸N型碳化硅晶体。

12日,安森美美国新罕布什尔州SiC新厂剪彩落成。通过该厂,2022年底安森美SiC晶圆产能同比增加5倍。

▌光、车加速渗透 SiC或将迎“增速最快”三年

从下游终端应用来看,SiC主要应用领域包括新能源车、光伏、工业等。方正证券认为,在新能源时代,SiC即将迎来属于它的性价比“奇点时刻”。

这在意法半导体SiC业务客户名单中也有所体现——7月初,该公司CEO受访时透露,其合作的中国厂商包括:比亚迪、吉利、长城、现代、小鹏等OEM,以及台达、华为、汇川技术、广达、欣锐科技、阳光电源、威迈斯新能源等。预计明年SiC业务可实现10亿美元的营收目标

新能源车及充电桩已早早开始着手搭载SiC零部件,而从近期行业厂商表态来看,光伏行业也已开始加大SiC应用力度。例如,

露笑科技在7月28日披露的调研纪要中表示,目前,光伏逆变器的6寸导电衬底片处于供不应求状态。预计1-2年内价格难以下跌,甚至可能上涨。

锦浪科技已在二极管及MOSFET器件上,推进SiC替代IGBT。且明年已订下不少SiC器件,几乎所有产品系列都将用到。

新洁能此前表示,计划下半年向光伏逆变器客户送样试用SiC MOSFET产品。

总体而言,随着新能源汽车、光伏等重点行业终端出货快速增长、SiC渗透率攀升,中金公司预计,2022-2024年,SiC器件有望迎来增速最快的三年周期。

虽然本土SiC供应商起步较晚,不过得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升,分析师认为,国内企业已获入场机会,且有望通过技术快速迭代和产能扩张受益。

需求爆发之下,供给缺口却进一步拉开,而衬底便是SiC器件产能的一大关键瓶颈。

据中金公司测算,新能源车与光伏应用推动下,在8英寸SiC晶圆大规模普及之前,导电型衬底供应量依然制约了SiC器件市场快速发展。

据《科创板日报》不完全整理,A股中:

方正证券预计,2026年全球SiC衬底有效产能为330万片,距同年629万片的衬底需求量仍有较大差距。在业内形成稳定且较高的良率规模化出货前,整个行业都将持续陷于供不应求。

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封面图片来源:拍信网