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昭和电工8英寸SiC外延片样品开始出货

来源:化合物半导体    原作者:Jenny    

9月5日,日本昭和电工(SDK)宣布,基于其单晶SiC衬底生产的8英寸SiC外延片样品已经开始出货,主要用于SiC功率半导体器件。

据悉,SiC功率半导体目前主要在6英寸SiC外延片上制备,但实际上,外延片尺寸越大,厂商能够生产的功率半导体芯片就越多。因此,器件制造商希望可以导入更大尺寸的SiC外延片,以提升器件生产效率,同时降低成本。

为应对这一市场需求,昭和电工自2021年开始加快8英寸SiC外延片的开发工作,如今,基于其单晶SiC衬底生长的8英寸SiC外延片样品成功实现出货。

目前,昭和电工在全球SiC外延片领域的市场份额依旧领先,未来,集团的目标是进一步加大8英寸外延片的产量,建立稳定的生产系统。与此同时,昭和电工在SiC衬底方面的布局采取供应链多元化的策略。

一方面,昭和电工保持向合作伙伴采购SiC衬底,另一方面,自主开发单晶SiC衬底,保障上游材料产能的同时,改善产品质量。

昭和电工表示,SiC功率半导体的性能很大程度取决于SiC外延片的质量,因此,厂商需要确保SiC外延片具备低表面缺陷密度以及稳定的质量。

值得注意的是,昭和电工一直在推进“下一代绿色功率半导体SiC晶圆技术项目”,并将持续开展研究和开发工作,目标是开发8英寸SiC外延片,并在2030年前将缺陷密度降低一位数或更多。

据化合物半导体市场了解,“下一代绿色功率半导体SiC晶圆技术项目”是““下一代功率半导体SiC晶圆技术项目”的一部分,该项目由日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)主导,是“下一代数字基础设施建设项目”的研发目标。

封面图片来源:拍信网