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传三星投入2000亿韩元,用8英寸晶圆生产第三类半导体

来源:TechNews科技新报       

消息人士表示,分析支出金额,三星已有技术制造某些芯片原型,SiC和GaN常用于最新电源管理零件,SiC因耐用性受汽车产业高度青睐,GaN则因具承受高频快速开关,无线通讯更常应用,比硅基半导体产品更受高端应用青睐。

三星2023年初成立功率半导体工作小组,为制造SiC和GaN半导体的第一步。小组除了三星半导体员工,LED团队和三星高级技术学院(SAIT)也有参与。三星规划用8英寸晶圆制造GaN和SiC半导体,直接跳过多数功率半导体商用6英寸晶圆切入阶段。

Micro LED也会用8英寸晶圆生产,代表三星高级技术学院使三星Micro LED生产拥有GaN相关技术。

三星用8英寸晶圆生产SiC和GaN产品令人瞩目,因SiC