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罗姆开发出EcoGaN™ Power Stage IC,瞄准数据服务器、AC适配器等领域

来源:全球半导体观察    原作者:Viki    

7月19日,全球半导体制造商罗姆(ROHM Semiconductor)在深圳召开媒体交流会。会上,罗姆宣布已开发出EcoGaNTM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”,面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源。

图片来源:罗姆

据罗姆介绍,新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。功耗方面,与现有的Si MOSFET相比,新产品器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,有助于减少服务器和AC适配器的体积或损耗。

外形上,新产品为VQFN封装,8x8mm,厚度是1毫米的IC,一体化的封装。在元器件数量上,普通产品是9个相关元器件,而罗姆新产品将驱动方式进一步简化,外置Power Stage相关元器件只需1个,有助于应用产品的小型化。

电压方面, 新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V),拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si MOSFET。目前,新产品有两款,分别是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB,导通电阻分别是70毫欧和150毫欧。

此外,还备有三款评估板,一款是BM3G007MUV-EVK-002,用来评估芯片的整体方案性能,另外两款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003,可移植到客户现有方案进行测试。

罗姆表示,新产品已于2023年6月开始量产(样品价格4000日元/个,不含税)。另外,新产品及对应的三款评估板 (BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003 、 BM3G015MUV-EVK-003) 已开始网售,在Ameya360等电商平台可购买。

GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料,与普通的半导体材料——Si(硅)相比具有更优异的物理性能,并凭借出色的高频特性,成为第三代半导体材料代表物之一。罗姆认为,目前氮化镓应用最多的领域在快充、小型笔记本电脑等,今后可能会扩展到车载OBC、数据中心的电源、分布式电源等应用。

2006年,罗姆开始了氮化镓相关产品的研发历程,该公司于2021年确立了150V GaN器件技术,普通氮化镓产品是6V耐压,罗姆的氮化镓产品达到了8V,后于2023年4月开始量产650V耐压产品,并于2023年7月发布了这款650V Power Stage IC。

据悉,EcoGaNTM是罗姆专门为氮化镓器件申请的商标。罗姆将有助于应用产品的节能和小型化的氮化镓器件命名为“EcoGaNTM”系列。

罗姆透露称,今后,公司将不断改进驱动技术和控制技术与EcoGaNTM系列GaN器件相结合,便于客户选择。关于Power Stage IC下一代机型,准偕振AC-DC+GaN的器件预计在2024年一季度量产,功率因数改善+GaN的器件也是2024年第一季度量产,半桥+GaN的器件预计在2024年第二季度量产。

封面图片来源:罗姆